7 月 1 日消息，綜合韓媒 ETNews、AJUNEWS、fnnews 報道，三星電子當地時間昨日下午對其第六代 10nm 級 DRAM 內存工藝 1c 納米授予生產準備批準 (PRA)。這標志著三星完成 1c nm 內存開發，準備向量產轉移。
三星電子的 HBM4 12Hi 內存將使用 1c nm DRAM Die，可以說該內存工藝的表現在很大程度上影響了 DS 部門存儲器事業部未來 1~2 年的營收表現。
而在三星電子之前，SK 海力士和美光也都完成了第六代 20~10nm 制程 DRAM 的開發，三大內存原廠向 10nm 關口更近了一步。
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