7月17日消息，據國光量子介紹，近日國光量超在量子芯片制造領域取得重大突破，推出4英寸1nm精度離子束刻蝕機。

該設備將為量子芯片生產帶來前所未有的精度和效率提升，有望推動我國量子計算高精度芯片的進一步提升。

離子束刻蝕機是量子芯片制造過程中的關鍵設備，通過使用高能離子束精確去除材料，實現對芯片微觀結構的精細加工。

國光量超的這款離子束刻蝕機采用了自主研發的先進技術，能夠實現亞納米級別的刻蝕精度，滿足量子芯片對微小尺寸和復雜結構的嚴格要求。

同時，該設備還具備高穩定性和高效率的特點，能夠大幅縮短量子芯片的生產周期，降低制造成本。

國光量超的離子束刻蝕機還具備多項創新特性，包括獨特的離子源設計、高精度的束流控制系統和自動化的工藝監測功能，能夠有效提高刻蝕過程的可控性和一致性，進一步提升量子芯片的性能和良品率。

量子計算作為下一代計算技術的核心，具有巨大的發展潛力。

然而，量子芯片的制造一直是該領域的技術瓶頸之一，對設備精度和工藝要求極高。國光量超的離子束刻蝕機的推出，將有效解決這一難題，為我國量子芯片的大規模生產和應用提供有力支持。

此次國光量超離子束刻蝕機的成功推出，有望加速量子計算產業的發展，徹底解除量子計算芯片生產的瓶頸。