8 月 25 日消息，SK 海力士公司宣布其 321 層 2Tb QLC NAND 閃存產品已完成開發并正式投入量產。這一成果標志著全球首次實現超過 300 層的 QLC 技術應用，為 NAND 存儲密度樹立了新的標桿。該公司計劃在完成全球客戶驗證后，于明年上半年正式推出該產品。

為提升新產品的成本競爭力，SK 海力士開發了一種容量為 2Tb 的設備，其容量是現有解決方案的兩倍。為應對大容量 NAND 可能出現的性能下降問題，公司還將芯片內的平面（plane）數量從 4 個增加到 6 個。平面是芯片內獨立操作單元，這一改變使得并行處理能力得到增強，顯著提升了同步讀取性能。

因此，與之前的 QLC 產品相比，321 層 QLC NAND 在容量和性能上都有顯著提升。數據傳輸速度翻倍，寫入性能最高提升 56%，讀取性能提升 18%。此外，寫入功耗效率提高了 23% 以上，在對低功耗要求極高的 AI 數據中心領域，其競爭力得到進一步加強。

據IT之家了解，SK 海力士計劃首先將 321 層 NAND 應用于 PC 固態硬盤，隨后拓展至數據中心的企業級固態硬盤（eSSD）和智能手機的 UFS。借助其獨有的 32DP 技術，該技術可在單個封裝內同時堆疊 32 個 NAND 芯片，SK 海力士有望通過實現兩倍的集成密度，進軍超高容量 eSSD 市場，為 AI 服務器提供服務。

“隨著量產的開始，我們在高容量產品組合方面顯著增強了實力，并確保了成本競爭力?！盨K 海力士 NAND 開發部門負責人 Jeong Woopyo 表示，“我們將隨著數據中心市場對 AI 需求的爆炸性增長以及高性能要求的提升，作為全棧 AI 存儲提供商實現重大飛躍。”