當地時間8月29日，根據美國《聯邦公報》發布的通知顯示，美國商務部工業與安全局（BIS）修訂《出口管理條例》（EAR），將英特爾半導體（大連）有限公司（已被SK海力士收購，按原計劃今年3月完全完成移交)、三星中國半導體有限公司以及SK海力士半導體（中國）有限公司從對中華人民共和國（PRC）現有經驗證最終用戶（VEU）授權名單中移除。

這些企業的豁免將在120天后到期，之后若要繼續進口美系半導體制造設備，必須逐案申請許可。

美國商務部表示，美國將批準許可證以保障企業現有工廠繼續運轉，但不會允許擴大產能或升級先進技術。

這項規則的改變，除了會影響三星、SK海力士在華晶圓廠的擴產和技術升級之外，可能還將會對美國設備制造商科磊公司 (KLA)、泛林集團 (Lam Research) 和應用材料公司 (Applied Materials) 的在華銷售造成負面影響。

值得一提的是，臺積電在華晶圓廠似乎沒有受到影響，其之前獲得的永久豁免依然有限。這可能與其此前追加1000億美元對美投資有關。

撤銷“無限期豁免”，設備供應將受限

早在2022年10月7日，美國出臺了新的對華半導體出口管制政策，限制了位于中國大陸的晶圓制造廠商獲取先進邏輯制程芯片、128層NAND閃存芯片、18nm半間距或更小的DRAM內存芯片所需的制造設備的能力，除非獲得美國商務部的許可。三星、SK海力士、臺積電等外資企業在中國大陸的晶圓廠也受到了該政策的影響。

不過，在數日之后的，三星電子、SK海力士、臺積電均獲得了美國商務部頒發的1年豁免期許可，使得他們在之后的1年內，美系設備廠無需辦理任何額外的許可，即可向他們位于中大陸的晶圓廠供貨。

2023年10月，在1年豁免期即將到期之際，美國商務部又同意向三星電子、SK海力士和臺積電位于中國大陸的晶圓廠提供“無限期豁免”，使得他們無需再擔心受到美國對華半導體設備供應限制政策的影響。這也將使得他們在中國的晶圓廠能夠繼續正常運營。

目前主流的NAND Flash芯片正在邁向了128層以上的更高的堆疊層數，主流的DRAM芯片也在進入10納米級。而三星和SK海力士在中國都有著龐大的NAND FlashH和DRAM產能，臺積電南京廠也有一定的16/12nm邏輯芯片代工產能，如果無法獲得美系先進的半導體設備及零部件供應，那么不僅現有的產線運營可能將受影響，未來也將無法繼續進行技術升級和擴大產能，這勢必將會影響到他們在華工廠的正常運營，以及未來的產能布局和市場競爭力。雖然這一負面影響在短時間內不會立刻顯現。

三星、SK海力士在華產能占比較高

資料顯示，三星在中國大陸的西安、蘇州擁有存儲芯片工廠。其中，西安工廠是三星在華最大投資項目，主要制造3D NAND閃存芯片。截至2024年年中，西安廠兩期項目總投資已高達270億美元。數據顯示，三星西安工廠月產能將達到26.5萬張12英寸晶圓，占三星全球NAND閃存芯片總產量的42%。2022年，三星半導體西安工廠產值將突破1000億元人民幣。

SK海力士目前在中國大陸無錫、大連（從英特爾手中收購而來）擁有晶圓廠。截止至2020年，SK海力士已累計在中國投資超過200億美元，在無錫擁有4000多名員工，并于2019年完成第二工廠C2F的建設。隨著C2F項目的持續推進，無錫工廠將承擔SK海力士DRAM芯片全球生產總量近一半的份額。此外，在2021年SK海力士還將其位于韓國青州的8英寸成熟制程晶圓代工廠M8遷至了無錫，但是該晶圓廠去年已經被出售給了中企。

研調機構TrendForce數據顯示，2025年一季度的全球DRAM市場，SK海力士以36%市場份額位居第一，三星以33.7%的份額居第二。而在2025年一季度的全球NAND Flash市場，三星以31.9%的份額位居第一，SK海力士以16.6%的份額居第二。

也就是說，三星與SK海力士一起占據了全球近70%的DRAM市場和近50%的NAND Flash市場。另有數據顯示，目前三星在中國的NAND Flash工廠，投片量占該公司 NAND Flash總產能的 42.3%，全球產能占比也高達 15.3%。SK海力士也同樣擁有約50%的DRAM產能和20%的NAND Flash產能在中國大陸。

小結:

顯然，美國撤銷對于三星和SK海力士在華晶圓廠的豁免，改為逐案許可，且限制技術升級和產能擴充，這將使得他們在華晶圓廠未來的運營和投資將會受到很大的影響。因為他們現有的在華產能如果未來長期無法進行技術升級的話，可能會逐步走向萎縮。

不過，如果中國本土半導體設備能夠獲得突破，則有望打破美國對于三星、SK海力士在華晶圓廠的限制。