9月3日消息，SK海力士今日宣布，已將業界（指存儲行業）首款量產型高數值孔徑極紫外光刻機（High NA EUV）引進韓國利川M16工廠，并舉行了設備入廠慶祝儀式。
High NA EUV 擁有比當前 EUV 更高的數值孔徑（NA），可大幅提升分辨率，能夠繪制當前最微細的電路圖案，預計將在縮小線寬和提升集成度方面發揮關鍵作用。
注：數值孔徑（Numerical Aperture）是用來衡量透鏡匯聚光線能力的數值。NA 值越大，電路圖案繪制的精密度越高。電路圖案制作越精密，每塊晶圓上可生產的芯片數量就越多，同時也能有效提高能效與性能。
據介紹，此次引進的設備為荷蘭 ASML 公司推出的 TWINSCAN EXE:5200B，它是首款量產型 High-NA EUV 設備，EUV 光波長 13.5nm，分辨率達 8nm。
與現有的 EUV 設備（NA 0.33）相比，其光學性能（NA 0.55）提升了 40%，這一改進使其能夠制作出精密度高達 1.7 倍的電路圖案，并將集成度提升 2.9 倍。
SK海力士表示，該系統將加速下一代存儲器產品的開發。
“我們預計，關鍵基礎設施的增加將把我們一直追求的技術愿景變為現實，”SK海力士研發負責人Cha Seon-yong說。
他表示：“我們的目標是，利用快速發展的人工智能（AI）和下一代計算市場所需的尖端技術，加強在人工智能（AI）內存領域的領先地位?！?/p>
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。