??? 摘 要： 以AT45DB041B為例，將FPGA和大容量" title="大容量">大容量串行flash存儲芯片" title="存儲芯片">存儲芯片的優點有效地結合起來，實現了FPGA對串行存儲芯片的高效讀寫操作，完成了對大量測量數據的存儲處理和與上位機" title="上位機">上位機的交換，并在某電力局項目工頻場強環境監測儀中成功應用。
??? 關鍵詞： FPGA; 串行flash; 存儲交換" title="存儲交換">存儲交換; UART; VHDL
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??? 現場可編程門陣列(FPGA)采用基于芯片的設計方法，具有穩定可靠、抗干擾能力強、可以反復編程、易于修改等特點，極大地增強了設計的靈活性，提高了設計的實現速度；大容量串行flash存儲芯片價格低，管腳少，結構簡單，使用SPI對數據進行訪問，方便了硬件規劃，增強了系統可靠性，減少了轉換噪聲，縮小了封裝尺寸，也節省了大量的FPGA的I/O口。兩者的有效結合可以使得大量數據的存儲交換更加高效穩定可靠。
1 設計背景
??? 在筆者的多通道工頻場強環境監測儀項目中，需要在無人監控的情況下，長期定時采集高壓架空線和變電站周圍的電磁場強度及溫濕度數據，并及時進行存儲處理，隨時供上位機通過UART訪問分析。這必然涉及到大量測量數據的存儲交換。本設計選用ALTRERA公司的Cyclone系列芯片EP1C3T144C8作為主控芯片，實現對數據的采集和交換，選用ATMEL公司的串行flash—AT45DB041B，用以對測量數據的存儲。本文以實際項目為例，闡述利用FPGA和大容量串行flash存儲芯片的優點，有效解決大量測量數據存儲交換問題的方法。
2 芯片介紹
2.1 EP1C3T144C8
??? EP1C3T144C8采用了基于全層銅SRAM工藝，支持多種I／O標準，2 910個LEs，1個內部PLL，13個M4K RAM塊，59 904個RAM位，104個可供使用的I/O。
2.2 AT45DB041B
2.2.1 基本原理
??? 該存儲器主要由主存儲器和兩個264B的緩存構成，主存儲器容量約為4Mbit，分為2 048頁，每頁也為264B。
??? AT45DB041B具有多種封裝形式，圖1是SOIC-8封裝下的管腳圖。其各管腳的定義與功能如下：
??? 1腳：SI，串行數據輸入端；
??? 2腳：SCK，串行時鐘信號。數據在SCK上升沿輸入，下降沿輸出；
??? 3腳：
復位信號，低電平有效。由于芯片內部有上電復位電路，不用時此管腳可直接接高電平；
??? 4腳：
片選信號，低電平有效；
??? 5腳：
寫保護信號，低電平有效。若此腳為低，則主存儲區前256頁不能被擦寫編程，如果不用此功能，可直接接高電平；
??? 6腳：VCC，電源輸入端；
??? 7腳：GND，電源地；
??? 8腳：SO，串行數據輸出端。
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2.2.2 器件操作
??? AT45DB041B的操作命令分為讀命令、編程和擦寫命令以及附加命令，其具體的指令和讀寫操作方式很多文章和資料已有介紹，限于篇幅，本文只將要用到的命令作簡要的介紹。
??? (1)讀主存儲區
??? 不經過緩沖區讀主存儲區任一頁，緩沖區內容不會改變。指令格式后續的SCK信號將使數據依次從SO端輸出。如果讀到了指定頁的最后字節，將自動跳回到頁首起始位置，循環讀取。整個過程中，/CS必須保持為低電平，/CS從低到高的跳變將中止讀操作，并三態SO引腳。
??? (2)連續讀主存儲區
??? 不經過緩沖區直接讀任意存儲單元的內容，緩沖區內容也不會改變。指令格式后續的SCK時鐘信號將使數據依次從SO端輸出。如果讀到了整個主存儲區的最后字節，將自動跳回主存儲區起始位置，循環讀取，頁與頁之間及主存儲區首尾之間沒有延時。整個過程中，/CS必須保持為低電平，/CS從低到高的跳變將中止讀操作，并三態SO引腳。
??? (3)寫緩沖區
??? 數據能夠通過SI端被寫入任意一個緩沖區。當寫到緩沖區結尾后仍有數據寫入時，數據將從緩沖區起始字節依次寫入。只要/CS保持為低，在SCK時鐘信號配合下，數據將一直循環寫入，/CS從低到高的跳變將中止寫操作。
??? (4)緩沖區寫入主存儲頁(帶擦除)
??? 事先寫入緩沖區的數據可通過編程寫到主存儲頁中。當指令寫完后，/CS由0變為1時，芯片首先擦除待寫入頁，然后再將指定緩沖區內的數據寫入主存儲頁。頁擦除和寫入操作由內置時鐘控制，最長時間為tEP。
2.2.3 時序
??? AT45DB041B的命令、地址、附加位和數據都是通過SI、SO引腳以位的形式輸入和輸出的，因此要采用FPGA產生讀寫時序時除正確理解其操作過程外，另一個關鍵點在于正確理解位的發送和接收時序，也就是數據如何按位移入或移出AT45DB041B。工作于SPI的inactive clock polarity high模式的時序如圖2所示。
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3 實際應用
3.1 硬件接線
??? 硬件電路如圖3所示。EP1C3T144C8的I/O和AT45DB041B的SI、SO、SCK、/RST、/CS引腳相連，/WP接高電平，實現對串行flash的讀寫操作；再由TXD、RXD通過MAX232和9芯串口" title="串口">串口與上位機實現UART通信，完成數據的交換工作。
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3.2 軟件設計
??? 一般的串行flash存儲芯片提供了許多操作命令，可以根據不同的設計目的選擇不同的操作命令組合，實現對串行flash存儲芯片的不同操作，滿足不同的設計要求。
??? 在本設計中，要定時地采集高壓架空線和變電站周圍的電磁場強度及溫濕度數據，每次12個字節，并進行及時的存儲處理，隨時供上位機通過UART讀取。
??? 在Quartus II中用VHDL編寫FPGA與AT45DB041B的接口程序，其程序框圖如圖4所示。
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??? 寫操作使用了寫緩沖區和緩沖區寫入主存儲頁(帶擦除)兩個命令。寫信號到時將規定寫入的數據寫入緩沖區后，立即將緩沖區寫入主存儲頁；寫完之后，再將當前的位置信息（主存儲區頁地址和頁內行地址）通過緩沖區寫到主存儲區的最后一頁，供每次程序啟動時讀取來恢復存儲器的狀態，之后就進入idle狀態。
??? 讀操作使用了讀主存儲區和連續讀主存儲區命令。讀存儲區是為了恢復每次寫入的位置信息，以便在程序復位后繼續接著寫入數據或讀取數據；讀信號到即發送連續讀主存儲區命令，每讀完一個字節便通過串口發送到上位機，接到串口發送完當前字節信號后，再繼續讀下一字節。當讀完寫操作時記錄的主存儲區當前頁或上位機給出發送出錯信號時，結束讀操作。
??? 程序的實現采用了VHDL中的狀態機（state machine），它是描述一系列狀態轉換的時序電路，它能夠很好地完成本設計中各狀態的條件的判斷和轉換。在程序設計過程中要特別注意幾個問題：
??? (1)程序剛啟動時的延時：這是為了使芯片工作在inactive clock polarity high模式，保證芯片的正常運行；
??? (2)讀過程中的延時：由于對flash訪問的時鐘（AT45DB041B可達20MHz）和用于UART發送的波特率（本設計中為9 600b/s）速度不匹配，而如果不作延時處理，直接給一個周期的UART發送使能，發送模塊就可能在自身時鐘的邊沿捕捉不到發送使能信號，為了保證正常發送，必須對發送使能信號進行延時；
??? (3)寫過程中的延時：由于擦除主存儲區并將緩沖區寫入所需的最長時間為tEP，為了確保每次都將數據成功寫入，必須延時一段時間tEP再轉入其他狀態。
??? VHDL實現的基于RS232標準的UART簡單穩定可靠，有很多文獻資料可供參考，這里不再贅述。
??? 本文采用FPGA結合VHDL編程來模擬SPI接口時序的方法實現了對大容量串行存儲器的訪問，在UART的配合下完成了對大量測量數據的存儲交換工作，并在筆者設計的儀表中成功地應用，運行穩定可靠高效。這里雖然是以ATMEL公司的AT45DB041B為例，但使用相同的方法，對一系列其他類型的串行存儲芯片如Megawin公司的flash存儲器MM36SBO10等，也可以進行類似的操作，對以后解決此類問題具有一定的參考價值。
參考文獻
[1]?http://www.altera.com Cyclone Device Hand book, Volume 1
[2]?http://www.atmel.com AT45DB041B-SC datasheet
[3]?王勝輝，律方成，張正平，等.串行FLASH存儲器AT45DB041與單片機的接口設計及應用.電測與儀表，2007,44(1)：65-68.
[4]?孫鵬. 大容量串行flash存儲器AT45DB041的原理與應用[J]. 電子制作，2007，(1)：42-44.
[5]?黃智偉. FPGA系統設計與實踐.北京： 電子工業出版社,2005.
[6]?李現勇. Visual C++串口通信技術與工程實踐（第二版）.北京：人民郵電出版社，2002.