??? 摘? 要: 介紹LCoS顯示芯片的研制。三片式" title="片式">片式投影用LCoS顯示芯片的物理結構及其電路組成框圖;芯片整體設計方法,運用Cadence EDA工具設計LCoS顯示芯片的具體策略和相應步驟;給出了LCoS顯示芯片的實際設計結果,并對其光學參數進行了測量。

??? 關鍵詞: 硅基液晶? 全定制設計? 自頂向下? 工藝文件

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??? LCoS(硅基液晶)作為新型顯示器件,具有大屏幕、高亮度、高分辨率、省電等諸多優勢,用LCoS技術制作高分辨率光閥的方法逐漸在平板顯示界占有一席之地^[1]。本文設計的用于三片式彩色投影機的高集成化LCoS顯示芯片,采用標準0.6μm-四層金屬-雙電源CMOS工藝設計和制作,其空間分辨率為800×600像素,目前已在國內半導體生產線上小批量成功流片。

1 LCoS顯示器件的物理結構與性能

??? LCoS顯示器是一種反射式光調制器,不影響入射光到每個像素的截面積,從而大大提高了開口率^[2]。筆者設計的三片式投影顯示系統采用空間混色法實現彩色化,即分別用三片LCoS芯片控制紅綠藍三基色圖形,然后通過光學系統實現空間混色。

??? 筆者采用標準0.6μm-n阱-四層金屬CMOS工藝設計的單色LCoS器件物理結構剖面圖如圖1所示。圖中,把金屬3設計成避光層,金屬4設計成反射鏡面" title="鏡面">鏡面電極,其目的是使金屬3和4交疊遮蓋顯示矩陣的有源部分,從而完全擋住了入射光線,降低了NM0S晶體管源極PN結上產生的光生漏電流。這種設計可防止因此而引起的圖像對比度退化。

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??? 在芯片制作過程中采用了CMOS制造工藝中的整平技術,以確保硅片表面是光學平面。整平工藝使得LCoS硅芯片在像素內的局部平整度變化小于100A°,像素間的總體平整度變化小于500A°。采用這種整平工藝可使硅光閥的光學性能大大地改進^[3]。這些改進包括三個方面:首先,平整的表面提高了像素的金屬鏡面質量,使得光學反射性增強;第二,在液晶盒的后階段制造中,平整的表面改善了液晶的排列,使液晶盒的可靠性和特性變得更好;最后,在像素上鍍了一層電介質鏡面,進一步改善了金屬的反射性能。

??? 為了提高本次設計的成功率,采用投影顯示系統中主流產品的顯示性能指標(見表1)。這樣,一方面不會因為芯片電路結構的復雜性,使得設計難度大幅度地增加,而轉移本科研的注視點;另一方面,若這種模擬式單色顯示方式能成功實現,可直接與主流產品接軌。

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2 顯示芯片電路系統

??? 圖2給出了LCoS芯片的電路結構框圖?？傮w上芯片電路可劃分為行掃描驅動器、列數據驅動器" title="數據驅動器">數據驅動器和顯示像素矩陣。為了降低芯片工作頻率,同時利于周邊驅動電路布局布線,把列數據驅動器分成電學結構完全一致的上下兩組,分別驅動奇偶數據線。

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??? LCoS顯示芯片采用逐點尋址方式,行掃描驅動器位于芯片左邊,它有600個驅動單元,依照幀觸發時鐘脈沖" title="時鐘脈沖">時鐘脈沖VST和掃描時鐘脈沖VCK1VCK2同步控制,從第一行到最后一行依次驅動。另一方面,上下列數據驅動器各由一個雙向可選擇的400節移位寄存器和一組模擬傳輸門組成。移位寄存器在信號時鐘脈沖HST和像素時鐘脈沖HCK1HCK2的控制下,從左到右依次將信號輸入400個模擬傳輸門,控制其對視頻模擬信號的導通時間。結果以恒定的間隔取樣連續的單色視頻圖像信號,并直接輸入到相應的視頻信號電極線,從而作用到正被選取的掃描行的像素電極上。

??? 單色LCoS芯片采用視頻信號電極逐場反轉模式,即作用在像素電極上的信號電平相對于上蓋玻璃基片上公共電極的電壓,每一幀都改變一次極性,于是視頻信號成為周期性改變的交流電壓,從而可以防止液晶材料的電化學退化。

3 采用EDA技術設計LCoS芯片

??? 從前面的分析可以發現,LCoS芯片不可能直接采用標準單元、門陣列等半定制方法來實現。實際上,LCoS芯片的物理版圖實屬LSI級,其設計過程十分復雜,較好的設計策略是采用層次設計與EDA設計相結合的方法,基本的設計過程是采用自頂向下的設計。具體地說,使用具備全定制設計功能的Cadence EDA設計工具,按照“自頂向下”的規則來設計LCoS芯片的版圖。首先確定微顯芯片的功能、性能、允許的芯片面積和成本等;接著進行結構設計,分化出盡可能簡單的子系統;然后把各子系統間的邏輯關系轉換成電路圖,進行電路邏輯設計和電路仿真;最后采用全定制方法綜合出整個LCoS芯片版圖。設計好的版圖還要通過提取版圖的結構信息和寄生參數信息與原來的結構描述相比較,驗證它們之間的一致性。

3.1 數據準備

??? 筆者采用具有4層金屬布線的CMOS工藝路線來實現LCoS芯片。為此首先在Cadence環境下編寫與Diva驗證工具相匹配的工藝文件(LCoS.tf)^[4]。其中包括:①LCoS芯片光刻版圖層及其屬性的定義;②符號元件;③DRC、ERC、LVS檢查規則;④寄生電阻、電容提取規則;⑤抽象單元規則。

3.2 建立LCoS顯示芯片的單元庫

??? 筆者為LCoS顯示芯片建立的基本單元包括:反相器、門電路、準靜態D觸發器、模擬電子開關、基本運算放大器、電平變換器以及各種應用的I/O單元^[5]?？紤]到各基本單元的邏輯功能不同,其版圖面積的大小也不可能一樣,因此規定列方向上的基本單元,其寬度一致;而在行方向上的基本單元,其高度一致;并且與顯示矩陣的規則排列相一致。這為整個版圖的快速組合鋪平了道路。

3.3 版圖布局策略

??? 布局是指將模塊安置在芯片上的適當位置,并能滿足一定的目標函數。由于LCoS顯示芯片在整體物理結構方面具有嚴格的橫向或縱向對稱性,可以免去那些在常規半導體版圖設計中采用的頂層規劃與底層規劃。當運用LCoS顯示芯片的單元物理視圖完成單行或單列的版圖優化時,可在Cadence平臺上設置LCoS顯示矩陣截距,然后反復復制單行或單列的物理視圖來實現LCoS顯示芯片的主要版圖布局規劃。圖3是筆者在Cadence平臺上規劃出的LCoS(SVGA分辨率)顯示芯片版圖,圖中像素截距設計為16μm,其芯片對角線保持在21mm(約0.83英寸)左右。

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3.4 版圖驗證

??? 版圖驗證的任務是檢查版圖中可能存在的錯誤。因此,在完成LCoS顯示芯片布局、布線后,筆者在Cadence平臺上進行了版圖驗證,包括設計規則檢查、電學規則檢查以及版圖與電路圖的一致性檢查,并在版圖寄生參數提取的基礎上再次進行電路分析(即后仿真)。在所有的檢查都通過并被證明正確無誤后,將布圖結果轉換為掩膜文件。然后由掩膜文件設法生成掩膜版,通常這可通過掩膜版發生器或電子束制版系統得到。

4 芯片實物顯微圖片

??? 圖4給出了研制的投影用單色LCoS顯示芯片實物顯微照片。這是采用國內某半導體生產線0.6μm-CMOS工藝在6英寸硅片上制作的,每枚芯片尺寸為17010μm×12420μm,其中顯示矩陣尺寸為12800μm×9600μm,即對角線尺寸約為0.63英寸。在每片6英寸硅圓片的有效平面光刻范圍內可制作60枚LCoS顯示芯片。圖4(b)是單枚LCoS顯示芯片顯微放大照片,其中特意放大了芯片名稱:NKD-B5,以示該顯示芯片為國內自主研制生產,具有中國的自主知識產權。

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5 鏡面電極光學性能測試結果

??? 作為反射式調制光閥的LCoS顯示器,其光通量是一個關鍵參數,而光通量依賴于像素電極反射鏡面的尺寸、鏡面的反射率" title="反射率">反射率及其平整度。在顯示面積一定的情況下,像素電極反射鏡面的尺寸直接與像素的開口率成線性關系。本文研制的LCoS芯片的像素截距是16μm,像素間距是0.54μm,可得到的像素開口率:

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??? 圖5是不同厚度純Al(99.999%)薄膜的反射率測試結果,表明了純Al鏡面的反射率受其薄膜厚度的影響。實際上,純Al膜如果沉積較厚(1μm以上)容易形成“鋁丘”^[6],即出現多晶態的Al分布,一方面使Al膜表面粗糙,降低其鏡面反射率,另一方面將嚴重影響Al膜的電學性能。因此,根據上述實驗結果,本篇論文采用3000.厚的純Al膜制作LCoS顯示芯片的鏡面反射電極。

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??? 目前LCoS的發展業者集中在美英兩地的Fabless公司^[7],國內在LCoS投影機光學引擎、光源、整機設計及LCoS設計以及液晶板制造方面均有研發和向產業化方向轉移的趨勢。更令人振奮的是,我國在向LCoS技術領域的進軍中,并沒有停留在低技術含量的系統組裝范疇。以南開大學等一批高等院校、科研機構為先驅,在不同渠道資金的支持下,奮先展開了研發具有中國自主知識產權(IP)的LCoS顯示芯片^[8]?？梢灶A見,在中國以LCoS技術為核心的新型平板顯示產業即將興起。

參考文獻

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3 H.C.Huang, D.D.Huang, J.Chen. Optical Modeling of Small Pixels in Reflective Mixed Mode Twisted Nematic Cells, SID’ 99Digst, 1999, 30(1): 18～22

4 Chip Assembly Design Flow Guide. CADENCE Inc., December 1994

5 代永平, 孫鐘林, 耿衛東. 彩色LCoS微型顯示器設計.半導體技術, 2001; 26(10): 37~39

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8 Dai Yongping, Gen Weidong, Sun Zhonglin.Optimizing the Design for Microdisplay on Silicon, Creating IP Modules for a New Type of SOC. ShangHai: 2001 4th International Conference On ASIC Proceedings, 2001:785～788