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瑞薩電子悄然放緩未來十年增長預期
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第 4 代碳化硅技術：重新定義高功率應用的性能和耐久性
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華碩侵犯力士科技MOSFET專利被判賠償1050萬美元
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CCPAK1212封裝將再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現
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強茂推出SGT MOSFET第一代系列：創新槽溝技術
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Vishay 新款150 V MOSFET具備業界領先的功率損耗性能
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Nexperia與KOSTAL就先進車規級寬禁帶器件達成戰略合作伙伴關系
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業界首款用于SiC MOSFET柵極保護的非對稱瞬態抑制二極管系列
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我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術
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Nexperia最新擴充的NextPower 80/100V MOSFET產品組合可提供更高的設計靈活性
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PANJIT推出最新高效能60V/100V/150V車規級 MOSFET系列
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Vishay的新款80 V對稱雙通道 MOSFET的RDS(ON)達到業內先進水平
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