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Diodes新型P通道MOSFET以更小巧封裝提高效率
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MOSFET驅動電路設計及應用
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羅姆與APEI聯合開發出高速、大電流的SiC溝槽MOS模塊
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世界首家！羅姆開發出可在高溫條件下工作的壓鑄模類型SiC功率模塊
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使用隔離式半橋驅動器的H電橋驅動電路(CN0196)
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飛兆半導體推出在線設計和模擬工具，可在數分鐘內提供完整的反激式設計
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利用運算放大器ADA4505-2、并聯基準電壓源ADR1581和開關ADG1636實現精密脈搏血氧儀LED的電流測量
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如何為電源選擇正確的工作頻率
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Vishay Siliconix 再次刷新業內最小N溝道和P溝道功率MOSFET記錄
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新型MOSFET在升壓變換器中減少開關損耗的解決方案
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