火奴魯魯 – IMS 2017 – 2017年6月5日 –在6月4-9日舉行的國際微波研討會(International Microwave Symposium)上，全球領先高功率RF功率晶體管供應商恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）（NASDAQ:NXPI），在第1132號展臺演示全新的5G蜂窩基站概念，以及其他多種創新型蜂窩基礎設施解決方案和技術。此外，在會議期間，恩智浦還將通過參加八次研討會和論文陳述，貢獻豐富的技術內容。

　　恩智浦資深副總裁兼射頻業務總經理Paul Hart表示：“就對社會的影響而言，在可預見的未來，5G很可能成為我們親眼見證的最偉大技術創新，打造未來的互聯世界。60多年以來，恩智浦一直致力于在這個領域銳意創新。在今年的IMS會議上，我們將非常榮幸地演示我們的新型GaN和硅LDMOS產品?！?/p>

　　構建5G基礎設施

　　隨著互聯設備和智能應用的數量日益增長，恩智浦提供了專門用途的功率放大器(PA)解決方案，旨在滿足5G新無線(NR)的尺寸、功率和頻段要求。最新發布的IHS Markit研究表明，到2035年，5G移動技術可能實現12.4萬億美元的全球經濟輸出。頂級蜂窩基礎設施OEM已經在他們的5G NR產品設計中采用了恩智浦的RF高性能蜂窩基礎設施產品和技術。有關恩智浦的5G產品開發的詳細信息，請訪問www.nxp.com/5Gradio。

　　推動下一代氮化鎵(GaN)技術從藝術成為主流

　　隨著高頻段的頻譜擴展，我們需要更大的帶寬來聚合不同頻段的更多載波，這些因素加快了GaN技術在基站無線電領域的采用。ABI研究表明，在2017年，GaN RF功率器件預期將在移動無線基礎設施的所有高功率半導體產品中占據接近25%的比例。隨著5G NR標準的采用，GaN技術有望在今后得到更廣泛應用。

　　恩智浦致力于成功部署業界最佳GaN技術。從2015年到2016年，恩智浦的GaN射頻晶體管產品增加了一倍以上。恩智浦將在2017年繼續增加GaN產品，不僅能夠更好地服務于蜂窩基礎設施市場，還提供面向工業和國防市場的不同功率范圍的全套GaN產品系列。有關恩智浦的GaN技術功能的詳細信息，請訪問www.nxp.com/RFGaN。在IMS會議上，恩智浦在其展臺上演示GaN技術領域的最新創新。

　　恩智浦Airfast第三代橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)產品

　　RF Si-LDMOS產品仍然在蜂窩基站中得到了最廣泛的應用。恩智浦擁有可觀的市場份額，在業界占據領先地位，并在每一代LDMOS產品系列中都取得了重大進步。最新一代產品實現了顯著的性能改進，包括在效率、增益、熱性能和信號帶寬方面。這些增強旨在滿足面向5G的下一代宏基站和智能移動性解決方案的要求。有關恩智浦的Airfast解決方案的詳細信息，請訪問www.nxp.com/Airfast。

　　恩智浦小型基站解決方案增加覆蓋面和容量

　　除了宏基站之外，無線運營商還必須使用小型基站實現網絡密集化，目標是增加下一代網絡的覆蓋面、容量和速度。恩智浦提供的小型基站解決方案，高集成度，外形尺寸小巧，從而實現了這些系統級改進。恩智浦提供完整的高功率對稱IC和非對稱IC產品系列，頻率從700至3800 MHz不等，適用于3G、4G到5G的部署。有關恩智浦的小型基站解決方案的詳細信息，請訪問www.nxp.com/RFoutdoorsmallcell。恩智浦還與Analog Devices Inc.和NanoSemi Inc.等行業合作伙伴攜手合作，提供完整線性化解決方案。有關測試結果和產品演示的信息，請訪問www.analog.com/RadioVerse或參觀IMS第1032號展臺，也可訪問www.nanosemitech.com/evaluation-platform。

　　有關詳細信息，請訪問www.nxp.com/RF。