編者按：隨著半導體工藝的不斷進步，線寬細微化趨勢使得半導體制造過程中的良品率的提升受到挑戰。日前，應用材料公司宣布推出配備了最新的自動分類缺陷技術 - Purity? II的SEMVision G7最新檢測系統，而這一最新系統可以最大限度地滿足晶圓制造廠有效檢驗晶圓缺陷的新要求。

  左：應用材料公司SEMVision市場部經理Guy Gichon 右：中國區產品經理王煒

自1998年第一次推出用于晶圓缺陷檢測機臺以后，在以后的20年里，應用材料公司一直處于這一市場的領導地位。截至2017年底，應用材料在全球總共擁有超過1,200機臺的出貨量，而這些設備在保證先進工藝下的晶圓制造良品率方面，發揮了重要作用。 

應用材料公司成像和工藝控制部門產品市場經理Guy Gichon先生認為，伴隨著SEMVision G7最新檢測系統的問世，應用材料公司全新的檢測技術再次引領整個檢測設備的開發。 

首先是新的檢測機臺具備更好的成像能力，針對FinFET或者3D的芯片結構，更先進的成像條件保證設備可以清晰地看到缺陷；其次，針對晶圓邊緣和側面的全新的成像系系統，完成對晶圓邊緣斜面和側面檢測從而增加良率；第三，對于無圖案的晶圓檢測，采用新的光學檢測系統可以檢測到更小的缺陷。

分類管理實現檢測和分析同步進行

在整個工藝控制中，傳統的檢測系統只提供缺陷檢測的圖像，然后由工程師針對缺陷圖像進行人工分類，進而再進行質量控制。 

為了提高檢測工作的效率，應用材料公司在幾年前推出了穩定的自動分類來取代人工分類的模式，稱之為ADC(automatic defect classification自動缺陷分類)系統。而這一套ADC系統同樣部署在SEMVision G7上面。 

據Guy Gichon介紹，部署在SEMVision G7的ADC系統采用了新的算法，增強了機器的學習能力，以此來適應現在研發或者產能提升階段的工藝過程。另外，就是對于一些非常重要的缺陷，又重新設計了另外的算法，能夠保證突出這些重要的缺陷。 

采用分類管理后，工程師需要進行線下分析。通過分析進行人工判斷看是否需要更深入的研究?，F在SEMVision G7把整個分析系統整合到檢測機臺，也就是說，檢測和分析可以同步進行。通過引進CAD的設計數據，可以對缺陷分類做的更精細，從而更好地實現質量控制。此外，全新的閉合分析系統能夠在整個分析過程中更快速地找到缺陷和成因。

從“低電壓”到“高電壓”的成像系統 

整個電子顯微鏡成像的核心就是用電子束轟擊材料的表面收集二次電子和背散射電子進行成像。當用更高的電壓去轟擊的時候，電子束能夠達到材料更深的深度，從而去激發出底層的一些信號反射出來。這一部分除了需要高能量以外，還要能夠收集反射出來的背散射電子。底層的背散射電子是大能量分散的，所以怎么去收集它從而成像也是一個挑戰。 

據Guy Gichon介紹，針對不同工藝采用不同材料的具體情況，特別是某些工藝引入了一些非常敏感的材料。在這樣的材料上面，如果用高電壓去成像會有一定程度上的損害，因此應用材料公司推出了一個150 V成像的系統，保證低電壓條件下的成像質量。另外，針對采用3D結構的工藝，很多缺陷都是在結構的底層，這時候需要能夠透視位于底部和下層的缺陷，因此又增加了15KV高電壓成像。 

因此，從“低電壓”到“高電壓”的布局，使得SEMVision G7面對不同工藝要求，都能夠提供穩定的成像能力，除了可以提供更高的電子能量，同時進行高能電子收集，保證看到底部的一些缺陷。

獨特的邊緣和斜面缺陷檢測能力 

傳統的晶圓缺陷檢測，都是針對晶圓本身，很少會涉及晶圓邊緣和斜面的檢測。但是現在客戶為了進一步提高生產效率和提升利潤，希望能夠有更多的晶圓邊緣晶粒能夠做成成品。 Guy Gichon表示，在與客戶進行深度溝通后發現，很多邊緣或者斜面的缺陷會通過CMP工藝被帶到芯片中間，然后降低了晶圓生產的良率。 

客戶需要在針對這一部分來進行檢測和分析，但是這部分檢測的挑戰在于可以看到它是一個傾斜且垂直的角度。在這個區域成像，用傳統電子束成像條件只有十幾個微米景深，但是晶圓斜面和側面成像可能需要幾十微米或者幾百微米的成像景深。正基于此，應用材料公司推出了一個全新的“大景深”的成像環境，提出了“獨特的邊緣斜面和側面”的成像模型，能夠讓整個邊緣斜面的圖象在一張圖里面顯現出來，而且可以用很大的視場，比如300微米去看這個區域。 

據Guy Gichon介紹，對于垂直斜面的話，通過整個電子束的傾斜，讓它能夠達到從側面觀察的方式，然后在側面缺陷也可以進行成像。通過對此區域的控制，就可以進一步提高整個邊緣的良率控制，同時改善整個晶圓成品率。

 應用材料公司SEMVision G7產品圖