0 引言

    隨著工業物聯網的發展，人們需要處理更多自然界中的信號。自然界中聲、光、電等模擬信號需要經過模擬-數字轉換器(Analog-Digital Convertor，ADC)轉換成數字信號才能被數字系統進一步處理。

    逐次逼近(Successive Approximation Register，SAR)型ADC因其低電源壓、低功耗、與數字電路兼容性好的優點，在傳感器、物聯網等中等精度(10 bit～12 bit)、中等速度(50 ks/s～200 ks/s)領域應用廣泛。

    主流的SAR ADC一般通過電容的電荷分享的原理實現SAR邏輯的算法，電容型SAR ADC的優點是：電容陣列沒有靜態功耗，利于低功耗設計；電容的匹配性較好，精度接近12 bit。

    電容型SAR ADC需要一個有驅動能力的緩沖器為電容陣列提供一個參考電壓。這個參考電壓作為ADC的滿量程電壓，需要有較高的精度，保證ADC的滿量程不隨時間、電源電壓變化；SAR ADC電容切換后，參考電壓需要能快速恢復，因此，參考電路還需要有驅動能力。在傳統的設計中，這樣一個參考電壓產生電路需功耗很大，有時甚至超過SAR ADC本身的功耗。

    本文提出了一種可以根據應用場景靈活使用的參考電壓產生電路(Reference Voltage Generator，RVG)。根據ADC的使用方式，選擇電壓基準電路的使用方式，可以在保證性能的前提下，兼具電源電壓低、功耗低、應用靈活的優點。

1 SAR ADC基本原理

    圖1所示為電荷型SAR ADC的基本架構^[1]。SAR ADC的基本結構包含一個比較器、一個數字模擬轉換器(Digital-Analog Convertor，DAC)和一個逐次逼近控制器(SAR Logic)。DAC采用電荷按比例縮放的結構，通過比例電容的切換實現將輸入信號與基準電壓V_REF進行比較。對于一個N bit分辨率的ADC，最后的數字輸出用模擬量表示為：

其中，B_N-1，B_N-2，…，B₀為N bit ADC量化后的數字輸出結果。

    其中V_REF是ADC的滿量程參考電壓，當ADC的電容陣列切換時，會對V_REF造成擾動，但下一次切換時，需要V_REF恢復。因此，RVG電路需要有較大帶寬，并能提供大瞬態電流。目前的商用芯片中，有些芯片需要將V_REF直接連接到電源電壓上，如意法半導體的STM32芯片^[2]，但是其缺點是ADC的滿量程電壓與電源電壓相關，不適用于電源電壓有較大波動的場景；有些芯片集成了內部參考電壓產生電路，可以產生出與電源電壓無關的參考電壓，但是沒有驅動能力，需要外接片外電容，啟動時間接近20 ms，如TI公司的MSP430^[3]芯片；有些芯片中集成有內部參考電壓產生電路和緩沖器電路，但功耗很大，如NXP公司的KL17^[4]，ADC使用時，最大功耗高達1.7 mA。

    本文提出了一種可以根據應用場景靈活選擇工作模式的片上RVG電路。

2 RVG電路原理

    本文提出的ADC如圖2所示，芯片內部集成RVG電路。RVG電路包含：帶有斬波（chopper）功能的帶隙基準電路^[5]；可以提供1.5 V或2.5 V輸出電壓的電壓倍增電路；低通濾波器電路；帶有驅動能力的緩沖器（buffer）電路；模式選擇開關；電荷泄放開關M1；濾波與防閂鎖(latch up)電阻R₁和R₂；R_B和L_B是對Banding線的建模；C₁是片外電容，大小定為10 μF。

    在工業物聯網的應用中，芯片的供電方式多樣，例如，電池供電、50 Hz交流電網取電等，如圖3所示。

    靈活的供電方式增強了芯片的適應能力，但同時給芯片設計帶來很大挑戰。在互感器供電中，電源電壓會有10%的波動，需要電路有較好的電源抑制比；電池供電中，需要ADC在低至2.2 V的電源電壓下可以工作。

    為了使ADC有較高的精度、較大的輸入范圍，希望ADC的參考電壓盡量大。在一些供電比較穩定的應用中，例如電源電壓保持在2.65 V~3.6 V以內，用戶可以選擇2.5 V模式為ADC提供參考電壓；在電源變化范圍較大的應用中，如電源電壓會在2.2 V~3.6 V之間波動，用戶可以選擇1.5 V參考電壓，雖然會降低了ADC的精度，但是保證了ADC在低電源電壓下功能正常。

    電壓倍增電路的結構如圖4所示，電壓選擇開關控制電阻R3是否接入電路。

    當V_SEL=1時，R₃被短路

    此時輸出電壓為1.5 V。當V_SEL=0時，R₃接入電路，R₃=R₁，此時電壓倍增電路的輸出電壓為2.5 V。

3 SAR ADC工作方式

    在傳感器和工業物聯網中，SAR ADC一般集成在MCU中使用，根據應用場景的變化，整個MCU會在電池供電或電網取電的模式下工作，在不同場景下，ADC的工作模式不同，例如單點采樣的工作方式、連續采樣的工作方式。芯片對功耗的要求也不同，有對能量消耗嚴格的場景，如電池供電；有對功率要求的場景，如連續采樣或使用線圈耦合供電。采用本文提供的RVG電路，通過合理地選擇工作模式，可以分別在單次采樣應用和連續采樣應用中實現低功耗。

3.1 能量高效率應用模式

    如果應用中對采樣頻率要求較低，例如，間隔1 s采集環境的溫度，ADC會采用單次采樣的模式，使能后進行一次采樣，立即關閉ADC的使能，進入關斷模式，等待下一次采樣。

    單次采樣應用模式如圖5所示，ADC消耗的電荷不僅取決于ADC開啟時的電流，還取決于ADC完成一次轉換的時間。如圖5所示，ADC1（網狀曲線）開啟時功率較大，ADC2（斜線曲線）開啟時功率較小，假設ADC1的功率P1是ADC2的功率P2的兩倍，P1=2×P2，但ADC1采樣一次的時間為ADC2的0.1倍，即T1=0.1×T2。

    ADC消耗的能量為E=P×T，所以E1=0.2×E2。

    即雖然ADC1的功率較大，但是在單點采樣的工作方式下，消耗的能量僅為ADC2的1/5。

    使用內部buffer時，如圖6所示，陰影中的電路處于關斷狀態。低通濾波器消除了帶隙基準電路的紋波，限制前面電路的噪聲；ADC中切換電容時造成的紋波，依靠緩沖器的環路穩定，因此，這種組態下，緩沖器的帶寬要求較高，功率很大。但是，使用內部buffer時，沒有大電容，整個電路的建立較快（<1 ms），相比于市場上使用片外電容的芯片接近20 ms的建立時間，建立時間縮短，一次采樣消耗的總能量減小。

    仿真和測試結果表明，V_REF可以在1 ms以內建立到ADC的1/2 LSB以內。

3.2 功率高效率應用模式

    當芯片頻繁使用連續采樣時，對芯片的功率要求嚴格，可以配置成片外電容模式，ADC切換電容陣列時，片外電容為電容陣列提供瞬態電流。另外，大片外電容C₁與R₁同時構成了低通濾波器，可以濾除帶隙基準電路的chopper紋波和噪聲。這種應用方式，由于不需要開啟緩沖器，其功率較?。坏?，由于每次開啟都需要給片外大電容充電，因此，其建立時間很長(<10 ms)。但RVG電路建立好后，可不再關閉，ADC可以連續運行。

    在使用片外電容的工作方式時，當電壓倍增電路從2.5 V模式向1.5 V模式切換時，需要進行電荷的泄放：

    傳統設計中電荷只能通過圖4中所示的電阻串流過，為了降低靜態功耗，電阻串的電流設計為10 μA，要將10 μC的電荷泄放，需要長達1 s的時間。因此，在使用片外電容的應用方式中，當切換1.5 V/2.5 V的過程中，會將M1開關打開，快速泄放電容上的電荷。圖7是參考電壓電路開啟與切換的過程。

    仿真中，對Banding線的寄生電容和電阻進行了建模，如圖6所示，L_B=5 nH，R_B=0.3 Ω。

    圖7中的I_CAP分別為通過Banding線給片外電容充放電的電流，在放電階段，可以提供28 mA的放電電流，在參考電壓建立階段，可以提供12 mA的充電電流。參考電壓建立到ADC的精度范圍需要10 ms的時間。在參考電壓2.5 V到1.5 V的切換過程中，1 ms內，參考電壓可以從2.5 V降到1 V以下。

    RVG中各個模塊的功耗見表1，片上低通濾波器使用MOS電阻和電容濾波，沒有靜態功耗。

    結合前面的分析，如果ADC進行單點采樣，并每次采樣結束后關閉ADC所有電路，使用片外電容的應用方式，完成一次采樣需要1 410 nC的電荷；使用內部buffer的應用方式，完成一次采樣需要229 nC的電荷。如果使用電池供電，采用內部buffer應用方式，可以有效減小對電池的消耗，延長使用壽命，參考電壓產生電路不同應用方式下的參數如表2所示。

    當ADC連續采樣，不需要關閉內部參考電壓產生電路時，使用片外電容的應用方式可以降低功耗。另外，如果芯片的供電模式是線圈取電，由于磁感應強度有限，對芯片的功率有一定限制，采用帶片外電容的應用模式可以降低其功率。

    綜上所述，使用內部buffer是能量高效率的應用模式；而使用片外電容是功率高效率的應用模式。

4 芯片測試

    本芯片已經在TSMC180 nm工藝下流片，SAR ADC的版圖如圖8所示，其中虛線框部分為RVG電路，其余部分為SAR ADC。

    芯片測試結果如下，RVG電路的輸出電壓的啟動，穩定性滿足SAR ADC的需求，如圖9所示。使用片上集成的RVG電路，當芯片電源電壓在2.2 V~3.6 V時，電路均可正常工作，SAR ADC的信噪比可以達到66 dB，如圖10所示。

5 結論

    針對工業物聯網芯片中供電情況復雜、ADC使用方式多樣功耗要求高的特點，提出了一種全集成多模式RVG電路，可以根據供電電壓范圍的不同，選擇1.5 V/2.35 V電壓輸出；可以根據ADC的應用方式配置成能量高效率模式和功率高效率模式。測試結果表明，該方案穩定性良好，能夠為ADC提供可靠的滿量程參考電壓。

參考文獻

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[3] STMicroelectronics Company.STM32 data sheet[Z].2015.

[4] NXP Simiconductors.KL17 data sheet[Z].2016.

[5] 畢查德·拉扎維.模擬CMOS集成電路設計[M].陳貴燦，程軍，張瑞智，等，譯.西安：西安交通大學出版社，2003.  

作者信息:

侯佳力1，2，3，胡  毅1，2，3，何  洋1，2，3，王小曼1，2，3，楊小坤1，2，3

（1．北京智芯微電子科技有限公司，北京100192；

2.國家電網公司重點實驗室 電力芯片設計分析實驗室，北京100192；

3.北京市電力高可靠性集成電路設計工程技術研究中心，北京100192）