據麥姆斯咨詢介紹，近年來，由于氮化鎵（GaN）在射頻（RF）功率應用中的附加價值（例如高頻率下的更高功率輸出和更小的占位面積），RF GaN產業經歷了驚人的高增長。根據Yole最近發布的《射頻氮化鎵技術、應用及市場-2019版》報告，在無線基礎設施和國防兩大主要應用的推動下，RF GaN整體市場規模到2024年預計將增長至20億美元。

　　隨著5G的到來，GaN在低于6GHz（sub 6GHz）的宏基站和以毫米波（24GHz以上）運行的小型基站中找到了一席之地。與此同時，GaN在軍事應用領域也擁有巨大的機遇，該領域總是優先部署高端、高性能系統，包括軍事雷達、電子戰和軍事通信。在此背景下，RF GaN已被產業廣泛認可，并已成為明顯的主流技術。

　　RF GaN相關廠商的營收增長非常迅猛，同時它們也在不斷加強其專利組合，以主導RF GaN供應鏈。根據Yole旗下子公司Knowmade近期發布的《射頻（RF）氮化鎵技術及廠商專利全景分析-2019版》報告，作為RF GaN專利生態系統中引人注目的新入局者，韓國Wavice公司通過創新的基于GaN的分立和功率放大器（PA）模塊技術瞄準了軍事和電信市場。近日，Yole化合物半導體和新興材料技術與市場分析師Ezgi Dogmus博士以及高級分析師Hong Lin博士有幸采訪了Wavice企業戰略高級執行總監Hyunje Kim先生，討論了Wavice的技術現狀以及公司未來幾年的發展路線圖。

　　2018~2024年GaN RF器件市場規模預測

　　Ezgi Dogmus & Hong Lin（以下簡稱ED & HL）：請您簡要介紹一下Wavice及其歷史，以及商業模式，為什么Wavice會選擇這種商業模式？

　　Hyunje Kim（以下簡稱HK）：Wavice脫胎自韓國Gigalane公司的前GaN PA部門，Gigalane是KOSDAQ上市的半導體工藝設備和RF元件全球領先供應商。自2011年開始，Gigalane的PA部門啟動了RF有源元件的政府計劃。Wavice成立于2017年5月，此后一直致力于開發由Gigalane發起的韓國防御計劃。2015年，Wavice在ADD（韓國國防發展局，是韓國唯一一家國防采購項目管理局資助的國防技術研發機構）的資金支持下，開始開發GaN晶體管。經過三年的努力，Wavice利用韓國國內的制造環境首次成功開發出GaN晶體管。

　　我們的商業模式主要由兩部分組成。首先是國防應用。我們計劃基于Wavice的GaN晶體管制造能力，擴大SSPA/TRM等模塊業務，GaN晶體管制造是這些模塊的核心組成部分。其次是商業市場。我們的目標是5G電信市場，主要專注于在當前市場背景下提供芯片。全球對GaN芯片的需求很大，而市場供應非常有限。由于可靠且可制造的GaN器件具有相對較高的技術壁壘，因此，預計短期內供應瓶頸不會緩解。Wavice已準備好用更短的上市時間，批量生產這些GaN器件，預計很快就能填補市場缺口。

　　ED & HL：你們的產品組合/產品線/服務有哪些？

　　HK：■ 芯片：目前提供0.4um柵長，支持最高6GHz頻率。Wavice的標準芯片供應正式開始于2019年4月。此外，PDK開發正在進行中，旨在于2019年底提供代工服務。

　　■ PKG：我們為商業和國防市場提供未匹配（unmatched）發射與接收（TR）、預匹配（pre-matched）TR、輸入/輸出50歐姆匹配TR（IMFET）產品。

　　■ 射頻模塊：我們專注于提供主要用于國防雷達系統的固態高功率放大器（SSPA）和總無線電模塊（TRM）。此外，我們計劃擴大我們的產品線，包括商業氣象雷達和電子戰，包括導引頭（seeker）和干擾器（jammer）。

　　ED & HL：你們GaN RF產品的特點/附加價值有哪些？

　　HK：Wavice產品開發的最高優先級是可靠性，被公認為世界第一的可靠性。這是因為GaN主要用于365天24小時運行的產品，因此，長期可靠性至關重要。我們致力于推出比市場上任何其他產品更強大的產品。我們將Wavice的專有技術與晶體管相結合，成功開發出世界上最可靠的GaN產品。

　　ED & HL：你們GaN產品/服務的目標市場有哪些？

　　HK：我們的主要目標市場包括5G無線通信基礎設施、電子戰以及國防監控和偵察。

　　ED & HL：Wavice是否開發RF模塊和分立產品？

　　HK：Wavice為國防產品提供Tx Pallet和SSPA等RF模塊。Wavice已經成為韓國國防GaN模塊的頂級供應商。芯片的批量生產將于2019年開始，我們計劃主要向無線基礎設施市場供應芯片。

　　ED & HL：Wavice GaN產品采用了哪些類型封裝，每種應用市場都有所不同？

　　HK：■ 與許多其他供應商一樣，我們采用CPC或CMC陶瓷封裝。對于某些特定產品，我們使用AlN襯底封裝。

　　■ 激烈的價格競爭，推動了塑料封裝的發展，促發了封裝材料的研究，以及GaN晶體管與封裝中散熱片的材料鍵合研究。

　　■ 更恰當的說法是，應根據產品的輸出而不是適用產品本身來選擇封裝。例如，塑料封裝可以應用于輸出功率為5W（基于Psat）及以下的產品，因為它的成本較低且不會受到輻射熱的影響。另一方面，陶瓷封裝可用于具有高輸出的產品，例如 320W（基于Psat），以解決輻射熱引起的相關問題。這是所有供應商都需要面對的挑戰，而不僅僅是Wavice。

　　ED & HL：在芯片級和封裝級，您注意到GaN RF器件有哪些技術趨勢？

　　HK：目前的趨勢是正朝著低成本封裝發展，隨著GaN開始大規模應用于商業市場，低成本封裝更適合大規模生產。

　　ED & HL：Wavice的GaN產品的技術節點是什么，如柵長、襯底和晶圓尺寸？

　　HK：我們的柵長為0.4um，采用4英寸GaN-on-SiC，并計劃于2019年底引入0.25um節點。

　　ED & HL：隨著5G的到來，橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）、GaN及其他半導體平臺存在著激烈競爭，您對sub 6 GHz及毫米波（mmWave）應用有何看法？

　　HK：GaN已經作為主要技術在5G市場站穩了腳跟。GaN是目前的關鍵技術，LDMOS的帶寬會隨著頻率的增加而大幅減少，在高頻段、寬帶應用及效率等方面越來越力不從心。

　　mmWave似乎仍然是一個利用各種競爭解決方案識別問題的過程。與產品可靠性和性能有關的問題不斷被發現，每種可能的解決方案的利弊也各不相同，因此對于特定的解決方案，盡快解決這些問題并成為核心技術至關重要。

　　ED & HL：Wavice在這個市場中如何定位？目前針對電信市場的產品成本（$/W）？

　　HK：全球范圍內，只有少數幾家GaN芯片供應商，因此芯片供應不足。Wavice通過開發具有一流可靠性的產品而獲得成功，我們的大規模生產工藝也得到了驗證。Wavice正在努力確立我們作為一家穩定GaN芯片供應商的市場地位。

　　ED & HL：您能否介紹一下Wavice未來幾年的GaN產品路線圖？

　　HK：在Wavice的2020年產品路線圖中，我們的目標是為代工服務開放0.4 MMIC（單片微波集成電路），并為已封裝TR發布X/Ku波段分立TR組件。

　　ED & HL：未來五年，你們對GaN on SiC RF技術的目標營收或目標產能是多少？

　　HK：Wavice的目標是在2023年實現總營收1億美元，包括商業和國防市場。

　　ED & HL：根據Knowmade最新的GaN RF專利分析報告，該技術領域全球專利申請量日益增長，Wavice被認為是GaN RF專利領域的后起之秀。您能概述一下Wavice的專利組合和專利戰略嗎？

　　HK：Wavice的專利組合主要由GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）器件的可制造性和可靠性兩個技術方向組成。GaN HEMT是基于變形異質外延材料最成功的器件之一，它展現了更高的功率密度，更強的靜電釋放（ESD）性能，更低的器件單位面積熱阻等性能。但是，只有用少量GaN HEMT器件與其他競爭技術進行比較時才會如此。它還沒有為低成本大規模生產做好準備，也沒有達到材料系統的理論性能極限。GaN HEMT器件開發主要集中在展示可能的最佳性能，而不是改善可制造性或可靠性。Wavice的技術提升了最高性能，我們的專利主要是為了保護我們目前在器件生產中采用的技術。