出品：虎嗅科技組

　　作者：古泉君

　　回想一下，2017-2018年，什么理財產品最火爆？

　　答案是內存條，一年時間，小小的內存條價格翻了3倍，還經常買不到。

　　內存（DRAM）即動態隨機存取存儲器，是半導體行業中體量最大的一塊，無論是手機、PC還是服務器，都需要DRAM作為數據傳輸的通道。

　　如果說處理器等領域，中國在半導體行業還有些存在感，那么存儲市場就幾乎為零了?，F在，一家中國廠商，發布了第一顆DDR4規格的內存條。

　　“砸“出來的突破

　　長江存儲、合肥長鑫與福建晉華，是中國較為突出的三家存儲芯片企業，長江存儲主攻NAND也就是閃存，長鑫與晉華則是DRAM（動態隨機存取存儲器）也就是我們平時所說的內存條。

　　2月26日，長鑫存儲正式發布了其DDR4、LPDDR4X內存芯片，以及DDR4內存條、幾款產品均符合國際通行標準規范。

　　此次長鑫推出的內存芯片，主要用于主流PC市場，規格方面，長鑫DDR4內存芯片有兩款可以選擇， 單顆容量為8GB(1GB)，頻率2666 MHz，電壓1.2V，工作溫度0℃ 至95℃，提供78ball、96ball FBGA兩種封裝樣式。

　　LPDDR4X內存芯片在規格方面單顆容量2GB、4GB，頻率3733MHz，電壓1.8V、1.1V、0.6V，工作溫度 -30℃ 至85℃，200ball FBGA封裝。

　　除了芯片以外，長鑫還推出了成品內存條，采用自家的原廠內存顆粒，容量為8GB，DDR4，頻率為2666 Hz。

　　當然，這還不意味著你馬上就能買到國產的內存條，目前產品還未上架，長鑫已開始接受上述產品的技術和銷售咨詢，預計近期上市。

　　盡管在行業研發上DDR4不算是最先進的技術，但是在消費市場，DDR4內存還是主流，頻率上也處在平均水準。

　　合肥長鑫于2016年由兆易創新、中芯國際前CEO王寧國與合肥產投簽訂協議成立，主要股東為合肥市政府與北京兆易創新，目前，長鑫存儲員工總數超過2700人，技術人員超過500人。CEO朱一明也是兆易創新的創始人，后者是全球最大的NOR Flash供應商。

　　長鑫的建立和規劃，是半導體行業典型的“舉國體制”。

　　2017年9月， 國家集成電路產業投資基金一期宣布入股國產存儲芯片廠商兆易創新，取得約11% 股權，成為了其第二大股東。

　　次月，兆易創新發布公告，宣布與合肥產投簽署合作協議，研發19 nm制程的12英寸晶圓DRAM，預算為人民幣180億元，兆易創新出資20%，預計在2018年底前研發成功，實現產品良率不低于10%。

　　最終19 nm姍姍來遲。2019年，在安徽合肥召開的2019世界制造業大會上，總投資約1500億元的長鑫存儲內存芯片自主制造項目宣布投產，整個制造基地項目總投資超過2200億元，長鑫也正式宣布自主研發的基于19nm工藝制造的8Gb DDR4芯片正式量產。

　　2019年12月，長鑫存儲技術有限公司公布其最新的DRAM技術路線圖，將采用19nm工藝生產4Gb和8Gb DDR4，目標在2020年一季度實現商業化生產。目前長鑫月產能約為2萬片。另外，長鑫存儲計劃再建兩座DRAM晶圓廠。

　　韓國半導體在各種超大規模的投資和收購中逐漸成長，我國的半導體行業也走在這樣的路上。

　　靠“買買買”追趕技術的長鑫

　　目前，全球DRAM市場基本上被美韓瓜分，三星、SK海力士、美光的全球市場份額合計在95% 左右，而中國龐大的需求，只能依賴進口解決。

　　數據顯示，從2008年開始，我國集成電路進口額超過原油，連續11年成為我國第一大宗的進口商品；2019年1~9月存儲芯片進口量為2.5億臺，累計增長9.5%，進口金額為1139億元，累計增長4%。

　　2018年內存條成為理財產品的情景還歷歷在目，要想穩定市場價格，打破壟斷，就需要國產存儲器廠商們提升技術實力。

　　但是，半導體行業后來者入局難，除了需要投入高額的研發費用以外，專利也是關鍵的門檻。行業巨頭完全可以通過專利來打擊那些新入局的玩家，畢竟大量的專利掌握在大公司手里。

　　福建晉華就因為專利問題吃了大虧，不僅被禁售，DRAM的研發計劃也被叫停。

　　而長鑫最關鍵的一波操作，是2019年，吃下了已經破產的原歐洲存儲芯片巨頭奇夢達的大量專利。

　　2019年5月，長鑫CEO朱一明在演講中第一次披露了公司的專利情況，他表示長鑫從已經破產的奇夢達處獲得了大量專利，并且在這個基礎上進行了創新，專利申請數量達到了16000個，還有1000多萬份、約2.8TB有關DRAM的技術文件。

　　2019年底，長鑫又宣布其與WiLAN Inc. 合資子公司Polaris Innovations Limited有關達成專利許可協議和專利采購協議。

　　依據專利許可協議，長鑫存儲從Polaris獲得奇夢達（Qimonda）大量DRAM技術專利的實施許可，包括與DRAM、FLASH存儲器、半導體工藝、半導體制造、光刻（lithography）、封裝、半導體電路和存儲器接口（Memory Interfaces）相關的技術，其中包括約5000種美國專利和申請。

　　專利不僅僅是為了提升技術實力，更是為了繞過專利的封鎖圍堵。

　　當然，我國半導體行業依然是處在追趕階段。目前，長鑫存儲把將奇夢達的46nm工藝改進到了10nm級別，但制程也有高低之分。

　　如果用制程節點表示，1x nm制程相當于16~19 nm，1y nm制程相當于14~16nm ，1z nm制程相當于12~14nm，此外行業還規劃了1α、1β 和1γ 節點。

　　其中，長鑫的10nm存儲芯片屬于第一代的1x nm，而美光與SK海力士已經開始量產第二代1y nm制程。今年初的CES上，美光就展示了基于1y nm的12G LPDDR5內存，由小米10首發，同時美光也表示今年晚些時候會推出1z nm級的產品。

　　而三星電子則是正式宣布已開始量產用于旗艦級手機的16GB LPDDR5內存，還計劃在今年下半年量產基于10nm級（1z）處理技術的16GB LPDDR5內存。

　　除了制程以外，產能也需要提升。

　　長鑫第一期投資約為72億美元，預計產能就有12.5萬片晶圓/月。當然這是理想結果，長鑫預計2019年底能達到4萬片晶圓/月，達到全球產能的3%。作為對比，三星等巨頭單月產量能達到130萬片，還有較大差距。

　　2020年，回暖的存儲市場

　　DRAM是計算設備的核心組件之一，由于龐大的需求量，DRAM一直是半導體行業出貨的主力軍。

　　IC Insights 《2020~2024年全球晶圓產能報告》顯示，DRAM在2019年預期銷售金額將下降38%，但仍將成為所有半導體產品中銷售金額最大的產品，占總半導體銷售總金額17%，市場將達620億美元規模。

　　銷售額下降主要是因為2018年價格的飛漲，這一年也是自1990年以來，DRAM銷售額首次超過微處理器（MPU）的總銷售額。

　　2018年前后熱炒內存，是由于上游閃存顆粒嚴重缺貨，導致存儲芯片難產，價格因此瘋漲。而廠商們嗅到了商機，因此開始擴充產能，以填補市場空缺。

　　但隨后市場開始低迷，產能過剩，存儲芯片價格又開始走跌。

　　目前，市場開始穩定下來，一些機構預熱今年市場將回溫。IC Insights的報告就指出，部分存儲芯片廠重啟產能擴充計劃，預計2020年及2021年全球新增晶圓產能將大幅增加，進入高速擴張期。

　　任天堂、索尼、華為、蘋果存儲芯片的主要供應商臺灣旺宏電子（Macronix）也預測，2020年存儲芯片價格將反彈，市場需求也將穩定復蘇。

　　除了價格周期以外，技術的更新換代也將到來。

　　回顧歷史，2000年推出了DDR，2003年DDR2，2007年DDR3，2014年DDR4。按照規劃，2020年開始DDR5會逐漸走入消費市場，首先是移動設備，然后是PC。

　　此外，5G和云的持續發展，也是存儲市場回暖的一個推手。

　　5G 網絡的推進，也會促進LPDDR5的應用與普及，高速的網絡需要高速的存儲性能與之配套。美光科技移動產品事業部市場副總裁Christopher Moore 就表示，5G 網絡的部署將大大促進LPDDR5的應用與普及。

　　此外，服務器端、云存儲、汽車等領域，都將逐漸采用DDR5規格，用來滿足日益增長的性能需求。到2022年前后，DDR5/LPDDR5有望超越DDR4成為市場主流。

　　長鑫存儲的規劃圖顯示，公司下一代將推出第二代10nm（17nm）技術，DDR5也在下一期規劃當中。

　　總之，今年是存儲市場開始回暖的一年，對于中國存儲來說，長鑫的DDR4是一個節點，標志著中國的DRAM 在應用市場追上了主流水平。不過，技術上的差距仍然肉眼可見。

　　未來幾年，隨著PC 市場也開始過渡到DDR5。當這一規格成為主流后，中國廠商們無疑將會面對的更大的挑戰。

　　延伸閱讀

　　今日頭條推獨立搜索App頭條搜索：未正式上線