ISSCC 2020 頂著新冠疫情，于2月16日開始在舊金山地下室繼續召開。開會的結果就是會議結束后，舊金山市宣布進入面的疫情緊急狀態。（）雖然今年沒有去開成會，但是不影響小編的擼文章/Slides進程。許多公眾號都已經把今年ISSCC的核心焦點放在Chiplet——這個說新不新，卻再次綻放光芒的設計方法——上。小編也在此分享個人關于Chiplet對于集成電路生態、體系結構、模擬電路影響的一些思考。

　　導讀一：雖然本文有著科普的初心，但是為了節約篇幅，對于Chiplet一些基礎知識大家可參考黃老師的《ISSCC 2020看Chiplet研究現狀》，我們的《ISSCC 2020 觀感：高級封裝正在成為潮流》，以及唐博士的《從AI Chip到AI Chiplet》，本文不贅述技術細節。

　　導讀二：本文的觀點可能比較科幻，純屬個人臆測，大家自行決定是否相信，這里先把結論羅列出來（1）Chiplet拐點將帶領集成電路生態將邁入“打土豪分田地"的新時期；（2）Chiplet拐點面前，新形態體系結構形態的將提倡富含想象力的小而美，并且“去中心化”；（3）Chiplet拐點將誕生一類新型態的富含模擬電路芯片——有源基板，它將終結低電壓低增益低匹配的先進工藝模擬設計困局。

　　打土豪，分田地

　　如果用一個字來概來涵蓋單芯片片上系統（Monolithic SoC）方案與芯粒（Chiplet）方案，我會選天朝人民最耳熟能詳的“拆”字。簡而言之，就是把原來一塊大的單芯片，拆分為多個小芯片的組和，然后通過高級封裝重組。以前我們也把這樣的模式稱為System-in-Package，2.5D/3D封裝。2015年，Marvell的老板還把這樣的模式稱為芯片界的樂高——抹茶計劃（Mochi）。

　　但是SiP早期只是滿足不同工藝間芯片的鏈接，比如CPU/GPU和DRAM的異構集成。所以當時Chiplet被提出以后，也就是少數幾個學有余力的學霸間的花式表演。SoC在過去的很長一段時間，仍然是主流，Chiplet拐點從未真正到來。

　　然而，世界發展地太快。AI來了，貪欲來了，土豪炫富心態也來了。Monolithic SoC芯片在過去幾年進入了“貧窮限制了想象力”的新境界——

　　首先推波助瀾的英偉達黃教主，收到人工智能的助力，英偉達的旗艦GPU從100mm2，開始指數級發展。去年發布的Volta架構核彈級GPU——GV100的面積率先突破800mm2大關，據說今年即將推出的Ampere系列新核彈級GPU將在7nm工藝達到826mm2 【瑟瑟發抖地  】。

　　然后就是那些不要face的初創小妮子們，為了造一個個大新聞，變得毫無”節止“（此處不帶貶義）—— 其中最有名的當推硅谷初創 Cerebras Systems的AI芯片，面積達到了令人發指的46,225mm2，（你沒有看錯，那是逗號?。┢蟂RAM達到18GB 【我只能說你咋不上天呢？】：

　　如此大面積的芯片，有良率么，有意義么？下圖統計了良率與面積大小的關系，對于小于10mm2的芯片而言，monolithic方案和chiplet方案的良率差別很小，但是一旦芯片面積超過200mm2，monolithic方案的良率會比chiplet方案低超過20%?？梢灶A期，在700-800mm2的面積上，monolithic方案的良率很可能不超過10%。

　　由此，對于要商業化賣錢的芯片而言成本問題就活生生地體現了。假設研發費用是相同的，那么可以分攤研發一次性費用NRE的芯片數量，chiplet會比monolithic高3-4倍。如果忽略制造成本，但chiplet方案的成本價將遠遠低于monolithic方案。

　　AMD公司在ISSCC2020年上就以其多核架構為例子，對比了AMD服務器級別設計中，采用chiplet方案和monolithicSoC方案的成本，可見芯片越大monlithic方案和的成本比在chiplet高的越多，并且能保持在一倍以上。

　　誠然，土豪們與新貴們依舊可以炫富。但是chiplet卻是高性能芯片（組）打開市場化，完成生態的最有效捷徑。

　　正所謂，他強由他強，清風拂山崗；他橫由他橫,明月照大江；他自狠來他自惡,我自一口真氣足?！靶《馈钡膶Ｓ眯酒瑐?，只要能搭上chiplet高速列車，終究笑到最后才是王道。

　　去中心化的新架構形態

　　故事講到這里，看官們你或許會問，chiplet是不是只會給龐然大物帶來沖擊？小打小鬧的呢？我在過去的很長一段時間，也簡單的認為，chiplet是是巨頭們的樂高玩具，學術界的玩家既玩不起，也沒啥必要玩。

　　直到今年的ISSCC，當頭一棒點醒了我。

　　還用樂高做例子。樂高除了有圖紙按圖索驥的標準玩法，還有給出元模塊自定義樂高的高級版——Lego MOC (My Own Creations)，每年樂高官方都會有Lego MOC的最佳評比。小編某天還在B站抖音刷到過一個用樂高做的洗丑襪子專用迷你洗衣機。

　　即便如此，樂高迷們仍然不足以滿足MoC的需求，此時，3D打印的普及進一步沖擊了樂高的世界——用戶可以自定義元積木的任何形狀，然后打印出來，以填補官方元間庫的不足。好事者還用Lego MOC自己打造打一個3D打印機的教程。于是，樂高的世界打開了新維度的新大門~

　　當3D打印遇上樂高MOC

　　搭樂高當然有不同的搭法，搭chiplet也一樣。常規方法就是按照目前高性能計算體系結構的研究成果，按圖索驥搭出如下類SoC的標準化結構，以主控/多核CPU為核心+并行計算協處理器（GPU，AI芯片）+ 堆疊的Memory+IO是常規操作。（下圖來自ISSCC 2020 法國CEA的chiplet paper）

　　與常規操作相對應的，就是非主流殺馬特了。Chiplet的發展會催生非常多目前不存在的芯片形態，或者大大簡化某些形態的芯片進入主流平臺的過程。

　　在這個過程中，“去中心化”或將成為一個重要的特點。

　　先來看AMD的Server級處理器Chiplet方案——二代EPYC。（這家伙在7nm工藝下耗電280W，據前方記者報道，該芯片在ISSCC現場demo用液氮冷卻云山霧罩，遠觀還以為是炊煙裊裊）

　　AMD的Chiplet方案方案，由其Ryzen系列芯片演化而來。然而，在逐漸演化的過程中，系統的核心從CCX高性能計算核，逐步變成了一顆一存儲和互聯為主的IOD核。而且AMD還給IOD的互聯拓撲結構，起了一個“復仇者聯盟”式的名字——無限結構，infinity fabric。

　　而原本在系統中起著關鍵作用的處理器核心，變成了一個可以被scaling的元素：2/4/6/8，任意數量的核心方案都可以定制，要多少買多少，經濟實惠。

　　Chiplet的這種新型配置帶來的主客異位的變化是否會引發體系結構的新一輪討論？這種新形態下的互聯方式和存儲模式，還有沒有必要遵從目前主流的片上網絡/總線的模式？畢竟從物理學上，其電路的拓撲結構已經不一樣了。他也應該不同于現在繁瑣的PCIe等一鏈接版上原件為主的橋連接方法，畢竟還是夠近，通信間即便需要一些協議，也應該是簡單的。

　　法國CEA在ISSCC 2020提出了他們的建議：采用如下的全數字，全擺幅，極簡的準同步握手機制，完成chiplet間通信。chiplet間通信的延時采用延時補償的機制，相比于片內SoC的延遲，只提高了1到3倍，根據距離長短，完全可估計。相比于目前的LPDDR之類的協議，無論在電路復雜度還是能效上都有顯著提高。

　　在這種特征下，“去中心”化的設計理念是保障芯片組間可以靜態重構的重要前提。畢竟很可能Chiplet的主體再也不是擁有譯碼能力的處理器核心，而是一個并沒有多少處理能力的片上網絡。與此同時，每一個Chiplet的鍵位上可以放芯片類型也將更加不拘一格。除了今年ISSCC提到的微處理器，還可以是如今火爆的存算一體芯片，領域專用芯片，非典型CMOS工藝（ReRAM / MEMS / TFET / ...）的IoT芯片等等，以及更多發揮想象力的新型芯片。只要你流的起片，去他的超大規模SoC設計驗證，小而美的百花齊放才是春天。

　　總之一句，Chiplet拐點到來后，玩家絕不僅是土豪，去中心化發展會讓土豪們面臨各種“特洛伊”陷阱。

　　模擬電路能擺脫scaling down噩夢了？

　　不同于AMD，Intel和CEA設計chiplet方案時，還推出了一種全新功能定義的電路來實現chiplet——active interposer，有源基板。

　　早期的Chiplet基板，實現的功能完成芯片間的互聯和芯片pin腳到封裝pin腳的扇出功能，取代wire bond方案里面長長引線的寄生效應，可以簡單的理解為是密度更高、體積更小的PCB版，也被稱為無源基板, passive interposer。

　　但是，今年ISSCC上法國CEA提出的有源基板卻令人眼前一亮：

　　有源基板講白了就是一顆工藝節點大、面積大、能做底盤的新型芯片，由于是完整的芯片，設計師可以自定義這顆芯片的方案。

　　在CEA的方案中，不僅可以用于鏈接，同時通過實現路由功能（router）在基板上完成類片上網絡的互聯。更驚艷的是，他在基板上實現了基于開關電容的穩壓電源。由于基板工藝的節點比高性能計算的節點大很多、成本低很多，所以，用基板工藝做一些用能量存儲的大容量片上電容一點都不心疼。這時候也完全不用擔心先進工藝下各種開關的各種非理想（漏電/淺溝槽閾值調制）等非理想效應。

　　過去十年，模擬電路工程師們被摩爾定律逼的要多慘有多慘。Scaling下先進工藝那低于1V的電源電壓，（卻沒有scaling熱噪聲的幅度，SNR又不允許下降）；越來越低的輸出阻抗，導致放大器的增益難以為繼；甚至是40nm后開始的不可理喻的版圖匹配要求，還有FinFET開始的柵極電阻……種種麻煩都在把基于運算放大器的傳統模擬電路往絕路上逼。模擬工程師們只能調轉槍頭往Digital PLL / Digial LDO / SAR ADC / Digital PA等不少基于數字電路的模擬設計上走，可總有些電路是要靠放大器的。

　　然而chiplet卻給了讓這一困局新的思路——把適合大工藝節點的模擬電路放在有源基板上。同時，還包括那些占面積超大的無源器件，這個方法同時還能將最大程度地提高先進工藝的利用效率，把昂貴的工藝花在刀刃上。讓做放大器的模擬工程師遠離先進工藝的噩夢，回到亞微米時代自由發揮的黃金歲月。

　　下圖是Intel在今年ISSCC 2020的Chiplet 產品——lakefield的Foveros 3D封裝平臺里提到的如何布局計算芯片（Compute Die）和基板芯片（Base Die）的策略。高壓（比如高壓串行接口USB/LVDS，用于同步的晶振）、無源、電源管理、以及對Scaling Down不敏感的模擬電路，還有各類經典（溫度等）傳感器統統可放在基板大節點工藝上。

　　順帶提一句，當在選擇不同節點的基板時，還能發揮初異構的功耗優勢。比如Intel在選擇基板上用了超低漏電的節點（22FFL），然后將standby的相關電路集成到大基板上去，進一步優化stand功耗。這是傳統SoC不具有的選項。

　　chiplet拐點也讓模擬工程師可以喘口氣，不再被scaling down追著打了。

　　能看到這里的讀者們，你對Chiplet心動了么？如果您有更多comments，歡迎留言。