文獻標識碼： A
DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.200302
中文引用格式： 彭林，李嘉進，梁釗銘，等. 基于LC巴倫的偽差分功率放大器設計[J].電子技術應用，2020，46(8)：9-12.
英文引用格式： Peng Lin，Li Jiajin，Liang Zhaoming，et al. Design of pseudo-differential power amplifier based on LC balun[J]. Application of Electronic Technique，2020，46(8)：9-12.
0 引言
作為新一代移動通信技術，兼具高數據率、低時延與高可靠性的商用5G網絡將逐步滲透到社會各個領域，以用戶為中心構建全方位的信息生態系統，可滿足未來海量設備接入通信的需求。毫米波技術和Sub-6 GHz同屬于3GPP(3rd Generation Partnership Project)規定的5G標準，但由于毫米波的波長較短，所致其信號傳輸衰耗大，易受環境的影響；Sub-6 GHz則是LTE(Long Term Evolution)頻段向上延續而來的帶寬資源，支持廣域覆蓋、高移動性服務等業務場景，一定程度上能夠利用現有的基站設施從而簡化5G部署[1]。按照規劃，國內蜂窩網絡運營商將在3.3～3.6 GHz以及4.8～5.0 GHz上進行5G的初期組網。
功率放大器作為無線通信系統中射頻前端發射通路的核心組件，是將已調制的頻帶信號放大到所需要的功率值，并饋送到天線上輻射出去。在微基站應用中，由于硅基CMOS工藝存在耐壓能力不足、襯底損耗和Knee電壓較大等物理缺陷而被排除；寬禁帶GaN器件雖然能在更高的工作電壓下提供更優的功率密度，但目前受限于生產成本、良率等因素暫不是最佳選擇，所以未來一段時間內仍然以GaAs功放為主，因其具備經市場驗證的可靠性、較高性價比和完整產業鏈的優勢。為了應對城區高用戶密度、大數據流量和眾多接入點，同時要解決更高工作頻率下所帶來愈發嚴重的寄生效應，密集架設的微基站群如何在保持一定帶寬的前提下，依然實現高增益、大功率輸出的指標成為一項難題。本文基于2-μm InGaP/GaAs HBT工藝設計了一款4.9 GHz三級偽差分功率放大器，能有效減輕因芯片內部、封裝與測試板接地時附帶的寄生電感對系統性能產生的不利影響，并通過片外LC巴倫實現單端與差分對之間的轉換，同時給出了整體電路的設計方法、理論分析和仿真結果。
論文詳細內容請下載:http://www.cowatch.cn/resource/share/2000002920
作者信息:
彭 林，李嘉進，梁釗銘，章國豪
(廣東工業大學 信息工程學院，廣東 廣州510006)