前言：

在全球經濟發展一體化的情況下，科技大國之間的博弈極易對科技領域發展起到重大影響。

中國正在規劃制定一套全面的新政策，以發展本國的半導體產業，應對美國政府的限制。

即將大力發展的第三代半導體產業

我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入正在制定中的“十四五”規劃，計劃在2021－2025年期間，在教育、科研、開發、融資、應用等各個方面，大力支持發展第三代半導體產業，以期實現產業獨立自主，不再受制于人。

半導體行業經過近六十年的發展，目前已經發展形成了三代半導體材料，第一代半導體材料主要是指硅、鍺元素等單質半導體材料；第二代半導體材料主要是指化合物半導體材料，如砷化鎵、銻化銦；第三代半導體材料是寬禁帶半導體材料，其中最為重要的就是SiC和GaN。

按業內定義，第三代半導體材料是指帶隙寬度明顯大于硅（Si）的寬禁帶半導體材料，主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、金剛石等，因其禁帶寬度大于或等于2．3電子伏特，又被稱為寬禁帶半導體材料。

其具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優點可以滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻以及高輻射等惡劣條件的新要求。

與前兩代相比，第三代半導體材料在分子結構方面顯得更加優越，不但可以降低50％以上的能量損失，而且還可以使裝備體積減小75％以上。

第三代半導體更重要的意義是在功率器件領域，通過其特殊的材料特性，改進相關芯片及器件性能。

第三代半導體與國際差距沒有一、二代半導體明顯。先發優勢是半導體行業的特點，比如碳化硅SiC，國產廠商研究起步時間與國外廠商相差不多，因此國產廠商有希望追上國外廠商，完成國產替代。

未來三年，SiC材料將成為IGBT和MOSFET等大功率高頻功率半導體器件的基礎材料，被廣泛用于交流電機、變頻器、照明電路、牽引傳動領域。預計到2022年SiC襯底市場規模將達到9．54億元。

未來隨著5G商用的擴大，現行廠商將進一步由原先的4G設備更新至5G。5G基地臺的布建密度更甚4G，而基地臺內部使用的材料為GaN材料，預計到2022年GaN襯底市場規模將達到5．67億元。

第三代已上升到國家戰略層面

2015－2016年，國家科技重大轉型對第三代半導體功率器件的研制和應用立項。

2016年，國務院就印發《“十三五”國家科技創新規劃》，啟動一批面向2030年的重大項目，第三代半導體被列為國家科技創新2030重大項目“重點新材料研發及應用”。

此外，“中國制造2025”計劃中明確提出要大力發展第三代半導體產業，要求2025年實現在5G通信、高效能源管理中的國產化率達到50％；在新能源汽車、消費電子中實現規模應用，在通用照明市場滲透率達到80％以上。

8月4日，國務院公開發布《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》強調，集成電路產業和軟件產業是信息產業的核心，是引領新一輪科技革命和產業變革的關鍵力量，其中重點強調，中國芯片自給率要在2025年達到70％。

我國《電動汽車充電基礎設施發展指南（2015—2020年）》規劃，到2020年我國分散式充電樁的目標是超過480萬個，以滿足全國500萬輛電動汽車充電需求，車樁比近1∶1。充電模塊是充電樁的核心部件，其成本占設備總成本的50％。

第三代半導體材料無論在軍事領域還是民用都有廣泛的用途，國家戰略新興產業政策中多次提到以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體器件，寫入“十四五”規劃也是早有跡象。

第三代半導體產業戰略意義非凡，但國內該產業仍處起步階段，在研發、生產方面明顯落后于美日歐，隨著國家將其納入“十四五”規劃，政策利好必將引爆產業投資熱潮。

中國半導體行業危機猶存

中國半導體行業的危機不是處在中下游，而是出在上游。如果沒有好的原材料和精密的設備，即使在制造階段設計的再完美，操作的再精準，也很難和國際頂尖的產品進行競爭。

上游的半導體原料被日本企業信越和SUMCO壟斷，兩家幾乎占了市場份額的65％。而在半導體制造設備方面位于前列的則是美國、日本和荷蘭的企業，在筆者的記憶里，這個領域排名前十的企業全是這三個國家的，其所占的市場總份額達到了市場的九成。

而隨著中美關系的惡化，中國企業從海外采購零部件和芯片制造技術正面臨越來越多的困難。

而且隨著物聯網、大數據和人工智能驅動的新計算時代的發展，對半導體器件的需求日益增長，對器件可靠性與性能指標的要求也更加嚴苛。

以碳化硅為代表的第三代半導體開始逐漸受到市場的重視，國際上已形成完整的覆蓋材料、器件、模塊和應用等環節的產業鏈，全球新一輪的產業升級已經開始。

中國2020年芯片進口預計將連續第三年保持在3000億美元以上。而根據國務院發布的相關數據顯示，中國芯片自給率2019年僅為30％左右?！?/p>

或成國產化重要抓手

目前，第三大半導體材料市場呈現出美日歐玩家領先的格局，相比之下，中國的第三代半導體產業稍顯貧弱，在技術領先度、市場份額占比等方面較落后。

細究美日歐第三代半導體產業領先的原因，離不開美日歐政府的政策推動，這些國家更早地意識到了第三代半導體材料在通信、軍工、航空航天等領域的戰略意義，并較早地開始了有針對性的布局。

近些年來，中國的對半導體產業鏈的重視亦已凸顯，不論是新基建對5G、集成電路的重視，還是兩期國家大基金的成立，都為芯片產業提供了土壤，也將惠及半導體材料的創新。

但是，盡管我國在第三代半導體材料的布局方面稍顯落后，但并未遭遇“卡脖子”的情況。

另外，我國第三代半導體器件市場有著巨大的增長空間，或能成為倒逼上游材料發展的一大動力。

隨著全球通信、新興的電子科技繼續發展，對第三代半導體材料的市場需求必將繼續增長。盡管其占據市份不足5％，但從另一個角度來看，這亦代表著第三大半導體材料市場是一片有巨大潛在增量空間的藍海。

今年將編制“十四五”期間大數據、軟件、信息通信等產業規劃，消息指出，2020年是開啟國家“十四五”新征程的基礎之年，工信部將高質量編制“十四五”期間大數據、軟件、信息通信等產業規劃。

隨著第三代半導體材料的成本因生產技術的不斷提升而下降，其應用市場也將迎來爆發式增長，給半導體行業帶來新的發展機遇。

未來，新能源汽車、5G通信、數據中心等領域都將規模應用第三代半導體，隨著中國在高科技領域的領跑，第三代半導體發展可以換道超車。

結尾：

在這樣的大背景下，時值我國第十三個五年計劃臨近尾聲，第十四個五年計劃的編制工作正在啟動，我國將國內半導體產業的發展寫入下一個5年計劃的規劃中顯得順理成章。

中國半導體產業發展是非常有必要，國內崛起也必將大力發展半導體產業，以保證中國的電子信息產業的穩定發展。