今日，在華為官方發布的《任總在C9高校校長一行來訪座談會上的講話》一文中，任正非明確表示，我國芯片設計已經步入世界領先，達到世界第一水平的芯片制造技術在臺灣。但是大陸芯片產業的最大問題就是制造設備與基礎工業，制造沒有追上芯片設計的腳步，造成芯片行業的短板效應，因為容易被人卡脖子。

國產芯片設計水平居于領先地位的無疑就是華為海思，任正非說國產芯片在設計方面居于全球領先地位，應該就是說華為海思在芯片設計方面居于領先地位。華為海思研發的高端芯片在性能方面已能與手機芯片老大高通、三星等比肩，從這個方面來說，華為海思確實可以說達到了領先水平。

縱觀全球，只有三星、英特爾等少數幾家企業能完成芯片全套的程序。海思芯片用到了很多ARM的技術架構，目前海思芯片還無法完全脫離ARM所建立的技術底層。

華為海思研發的手機芯片基本都是采用ARM的公版CPU核心和GPU核心，一旦雙方的合作出現障礙，華為就無法跟上世界的腳步，例如去年的麒麟990 5G芯片和今年的麒麟9000芯片都未采用ARM最新的公版核心，導致性能方面落后于高通和三星。

由此可見華為在研發先進芯片方面其實收到ARM的制約，ARM給與它最先進的技術授權，華為海思才能設計出最先進的芯片，一旦ARM與它的合作受阻，它的芯片技術就受到重大的阻礙。當然了，華為目前也在建立自己的底層技術。

華為在手機芯片方面確實具有了較強的技術優勢，不過它的這種領先優勢其實還是有一定的局限性。如果放到中國整個芯片產業來說，中國在芯片設計方面的技術領先優勢就更為有限了。

芯片多種多樣，據統計數據指全球芯片市場有大約一半來自美國。美國能在全球芯片行業居于絕對的領先地位，得益于它保持100多年的全球制造業一哥地位，這種深厚的積累才奠定了它如今在芯片行業的領導地位。

對于中國來說，中國僅僅是在手機芯片的某個方面具有一定的技術領先優勢，在整體上于海外芯片企業的還是有一定的差距的。如果從各個芯片行業來說，中國落后的地方就更多了。

在存儲芯片行業，中國的存儲芯片才剛剛起步，長江存儲和合肥長鑫去年才投產存儲芯片，當然值得高興的是長江存儲今年已研發出于全球主流水平相當的128層NAND flash，但是中國的存儲芯片產能占全球的比例還太小，預計到明年才能占有一成多點的市場份額。

在模擬芯片方面的落后更是人所共知，據稱中國生產的模擬芯片占全球模擬芯片的比例只有一成左右，而且中國生產的模擬芯片主要是低端芯片，高端的模擬芯片幾乎全數進口，華為恰恰在模擬芯片方面幾乎完全受制于美國，這個行業恐怕需要十年乃至更長時間才能趕得上。

正如余承東所說，華為一家公司的力量也是有限的，麒麟芯片之所以受限，主要原因就是因為國內找不到一家高端的芯片制程商為麒麟芯片服務。芯片制造的每一臺設備、每一項材料都非常尖端、非常難做，沒有高端的有經驗的專家是做不出來的。

所以，當前國產芯片最大的難題還是在于芯片的制程方面，整個芯片差距要在于制造，芯片制造能力，芯片制造設備研發能力，背后是基礎科學、工程科學、應用科學的沉積。

因而，我們國家要重視裝備制造業、化學產業?；瘜W就是材料產業，材料就是分子、原子層面的科學。需要出來更多的尖子人才和交叉創新人才，才會有突破的可能。

任正非還表示，望國內頂尖大學不要過度關注眼前工程與應用技術方面的困難，要專注在基礎科學研究突破上，“向上捅破天、向下扎下根”，努力在讓國家與產業在未來不困難。