元旦節假日期間，國外知名博主在推特上透露了華為最新研發芯片的進展。這名叫Teme（特米）的博主表示，華為下一代旗艦芯片“麒麟9010”將采用3nm工藝打造。

（截圖源自推特）

不過元旦假期結束，該名博主卻更改了自己的說法，也許是一開始搞錯了，該博主表示：目前有兩款處理器正在研發中，其中麒麟9010將采用5nm ＋工藝，而麒麟9020則會采用3nm工藝。

（截圖源自推特）

按照之前華為受美國禁令顯示的回應來看，華為在接下來的兩年里，5nm工藝都會是其手機產品的主力芯片。而根據臺積電和三星透露的3nm研發進展，最快也要2022年才能落地。

縱觀各方3nm進展，誰能替華為代工？

此前華為曾宣布要在新材料和終端制造方面突破技術瓶頸，同時還表示將會對華為海思繼續投資，未來將會有一個更為強大的海思歸來，攻克難題，無非是時間問題、工藝問題以及成本問題。

結合華為旗下哈勃投資一直以來對數家國內半導體的投資動態來看，全面進入芯片半導體領域或許不是一句空話。

眾所周知，華為因美國禁令限制，臺積電已經無法再繼續為其供應5nm芯片。但并不意味著華為會放棄更先進芯片的研發設計，只要晶圓代工廠擁有相應的工藝制程技術，那么華為依然可以設計研發出來進行流片測試，萬一以后禁令解除了，也不至于落后一程。

提到3nm工藝，放眼望去，目前全球只有三星和臺積電透露過相關信息。由于FinFET晶體管一度被認為只能延續到5nm節點，因此三星計劃在3nm工藝研發上轉換賽道，采用GAA環繞柵極晶體管技術?；谌碌腉AA晶體管結構，三星通過使用納米片設備制造出了MBCFET（Multi－Bridge－Channel FET，多橋－通道場效應管），該技術可以顯著增強晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術。

此外，MBCFET技術還能兼容現有的FinFET制造工藝的技術及設備，從而加速工藝開發及生產。

具體來說，與現在的7nm工藝相比，3nm工藝可將核心面積減少45％，功耗降低50％，性能提升35％。

（圖片源自OFweek維科網）

毫無疑問，這是三星在3nm節點上的一次“豪賭”?；蛟S是為了扭轉此前5nm工藝落后的局面，大規模上馬GAA技術的手段明顯是較為激進的，而這到底能否幫助三星追上臺積電，我們拭目以待。

另一方， 臺積電所透露的3nm工藝進展看起來更加穩當，臺積電沒有像三星那樣選擇GAA晶體管技術，而是延續采納FinFET晶體管技術進行開發。其3nm工藝與5nm工藝相比，相同功耗下性能提升約10～15％，相同性能下功耗減少約25～30％，前者邏輯區域密度提升1．7倍，但SRAM密度僅提升20％，模擬電路部分密度提升約10％，因此芯片層面上可能僅縮小26％左右。

在生產方面，臺積電的3nm晶圓廠坐落在臺灣南科園區，占地28公頃，位置緊鄰臺積電的5nm工廠。據悉，臺積電3nm項目投資超過6000億新臺幣，約為194億美元或者1347億人民幣，2020年開始建廠，2021年完成設備安裝，計劃3nm芯片在2021 年進入風險性試產，2022 年下半年實現量產。

美國禁令之下，華為3nm能否誕生很難說

先進芯片的研發說到底只是證明企業是否有這個實力，那到底能不能生產上市或許就要看“命”了。華為要在臺積電和三星之間二選一無疑是個大難題，臺積電已經被明確禁止替華為代工先進制程，三星又怎會敢在這個風口浪尖上出頭呢？

很明顯，特朗普時代我們看到的是美國不遺余力地打壓華為，從最早的元器件管控到一步步列入“實體清單”，到最后直接切斷臺積電與其之間的合作關系，華為的5G實力深深地動搖了美國的科技霸權地位。

當前正值美國大選交替之際，很多人將希望寄托于拜登上臺后對華寬松的政策。但實際上，是否打壓華為并不只是特朗普或拜登一個人的想法，而是整個美國科技霸權受到威脅時的慣用做法。真正想要半導體產業不受制于人，不被外國“卡脖子”，倒不如積極重視以前發展不足的地方，重新投入資源發展。