在2月舉行的SPIE高級光刻會議上，ASML展示了有關其深紫外線（DUV）和極紫外線（EUV）曝光系統的最新信息。筆者最近采訪了ASML的Mike Lercel，就這些演示文稿進行了深入討論。

　　深紫外

　　盡管EUV得到了所有關注，但大多數層仍仍然使用DUV系統曝光，在可預見的將來，這可能仍然適用。

　　ASML已生產了兩個DUV平臺，即用于干式曝光工具的XT平臺和用于浸沒的NXT平臺。NXT是更快，更復雜的平臺。

　　對于領先的沉浸式技術，ASML推出了面向ArF浸入（ArFi）的第四代NXT平臺——NXT：2050i。新系統具有新的晶圓處理機（wafer handler），晶圓載物臺（wafer stage），標線片載物臺（reticle stage），投影透鏡（projection lens），激光脈沖展寬器（laser pulse stretcher）和浸沒罩（immersion hood）。這樣就可以更快地進行硅片對硅片的排序，更快的測量，防護膜偏斜校正（pellicle deflection ）以及具有改善覆蓋率的改善斑點。新系統的吞吐量為每小時295個晶圓（wph）。較長期的計劃是建立一個330 wph的系統（見圖1）。

　　ASML現在正在采用NXT平臺，并在第一臺面向ArF Dry的NXT：1470系統上移植干鏡，該系統提供300wph（比NXT：20250i快一點，因為它沒有沉浸開銷）。NXT：1470的300 wph吞吐量高于XT：1460K的約200 wph的吞吐量。將來，NXT：1470的吞吐能力將進一步提高到330 wph（見圖1）。還計劃以330 wph的速度將KrF干鏡移植到NXT平臺上（見圖1）。

　　圖1. NXT路線圖。

　　EUV（0.33NA）

　　隨著三星和臺積電在7nm和5nm邏輯生產以及三星在1z DRAM生產中加大對標準0.33數值孔徑（NA）系統的使用，EUV曝光的晶圓數量正在迅速增長（見圖2）。

　　圖2.現場的3400x EUV系統和暴露的晶圓。

　　NXE：3400C系統自2019年底推出以來一直在發貨，而新的NXE：3600D應該在今年晚些時候開始發貨。每個新系統都提供了改進的吞吐量和覆蓋。

　　圖3給出了將在下一部分討論的0.33 NA和High-NA 0.55NA系統的摘要。

　　圖3. EUV系統摘要。

　　1.第一列列出了從NXE3400B系統（最初的生產系統）開始的過去，現在和將來的系統。

　　2.第二列提供每個系統的引入日期。值得注意的是，新的NXE：3600D應該在今年晚些時候以更高的性能交付，而第一批高NA系統應該在2022年晚些時候交付。

　　3.第三列給出了系統的數值孔徑，其中0.33NA代表當前系統，而0.55NA代表正在開發的高NA系統。

　　4.接下來的兩列顯示了ASML證明的20mJ / cm 2和30mJ / cm 2劑量的通量。這些吞吐量基于更典型的DRAM應用中每個硅片的96 field。

　　5.發貨的系統數量是IC Knowledge對2020年第4季度按類型發貨的NXE：3400B和NXE：3400C系統數量的估計，ASML不提供這個。

　　6.下一欄是NXE：3400B當前的可用性約85％，NXE：3400C當前的可用性約90％。3400C具有新的模塊化容器，可減少停機時間。長期ASML的長期目標是使其達到DUV系統典型的95％可用性。

　　7.最后一欄介紹了有關系統和用法的一些注釋。我們認為7nm邏輯生產主要在3400B上進行，而5nm在3400C上進行。我們預計即將在未來一到兩年內投入生產的3nm工藝將主要在3600D系統上生產。

　　密集圖案EUV的關鍵推動因素是Pellicles的可用性，現在有可用Pellicles可用。Pellicles的使用會降低生產量，是否使用Pellicles取決于你所打印的圖案密度。圖4顯示了EUV Pellicles透射的狀態。

　　圖4. EUVPellicles傳輸。

　　當前在生產中使用了一些Pellicles。

　　High-NA EUV（0.55NA）

　　High-NA現在已經從PowerPoint幻燈片發展到工程設計，再到構建模塊和框架。預計首批High-NA工具（0.55NA）將于2022年下半年交付。這些EXE：5000系統可能與EXE：5200系統一起用于研發，原因是EXE：5200系統將于2025/2026年成為第一批High-NA生產系統。（見圖3）。

　　當前的0.33NA系統一次曝光即可打印到大約30nm的間距?，F在正在進行工作以一次曝光來演示28nm以及最終26nm的線條和空間。臺積電目前正在生產的5nm工藝的M0間距為28nm，我們認為這一層在當前生產中可能是雙圖案的EUV，而其余使用EUV的層則是單圖案。對于將于今年晚些時候開始出現風險試產的的臺積電3nm工藝，我們預計將有幾個EUV雙圖案金屬層。目前估計0.55NA系統進入生產的時間大約在2025/2026時間范圍內，我們可能會看到2nm的代工廠和Intel的5nm工藝正在生產，然后再進行廣泛的EUV雙重打樣。055NA EUV可能會首先出現在晶圓廠的生產中。

　　圖5展示了高NA EUV的技術價值。

　　圖5.高NA技術值。

　　與0.33NA EUV相比，0.55NA EUV的另一個值是較高的對比度，這就讓他們可以以低得多的劑量打印出密集的特征，從而提高了通量（圖3是特定劑量的通量，不考慮降低劑量）。圖6展示了0.55NA的優勢。

　　圖6.密集圖案的高NA吞吐量優勢。

　　還正在進行改進的EUV掩模吸收層的工作，以提高對比度和分辨率，請參見圖7，并要改進光刻膠，請參見圖8。

　　圖7.改進的掩膜吸收層。

　　圖8.改進的光刻膠。

　　當前，他們正在制造用于高NA工具的模塊和框架。

　　結論

　　ASML繼續在其整個DUV和EUV系統產品組合中提高吞吐量和分辨率。隨著高NA系統制造的進行，通往1.5nm邏輯及更高工藝的道路正在醞釀之中。