華為暫時退出高端市場、華為發布鴻蒙OS、華為輔助駕駛等等,有關華為的新聞是層出不窮,這背后的故事,讓國人意識到,技術才是把握主動權的關鍵。
近日,華為又搞出了一個大新聞,宣布華為旗下公司哈勃科技正式入股東莞市天域科技半導體公司,這家公司是我國首個從事第三代半導體碳化硅外延片研發、生產、銷售的高新技術企業。
那么,華為進軍半導體行業,究竟欲意何為?
第三代半導體的優勢,能為華為帶來什么?
要回答這一問題,首先需要解釋什么是第三代半導體,以及它跟一代、二代半導體的差別。
第三代半導體主要由四種半導體材料構成,它們分別是氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)和金剛石,均為高溫半導體材料。
而一代半導體則主要由硅(Si)、鍺(Ge)構成,其中硅是構成一切邏輯器件的基礎;二代半導體則由化合物導體材料構成,主要有砷化鎵(GaAs)和 磷化銦(InP)。
一代、二代、三代半導體由于材質組成的差異,直接導致了它們的作用各不相同。其中三代半導體最大的優勢在于,它更符合當前電子產業發展的要求,比如第三代半導體的重要組成材料碳化硅(SiC),就具備高電子飽和速度、高臨界磁場、高熱導率三大特點。
得益于這些優點,能讓采用三代半導體技術的元器件更適用于高頻高溫的場景,同時還能起到降低功耗的作用。同時碳化硅還適用于制造高耐壓、大功率的電子器件,比如廣泛運用于新能源汽車行業的IGBT模塊化半導體產品,正是歸功于第三代半導體中的碳化硅材料。
同時碳化硅還可應用于新能源汽車領域的逆變器、車載充電器、功率控制單元等方面,其所具備的輕量化、耐高溫、效率高的特點,還能有效降低新能源汽車的成本。
由此可見,華為投資第三代半導體技術,興許是想為新能源汽車造勢,連接自身在輔助駕駛方面的優勢,實現真正的軟硬結合。
此外,在第三代半導體技術中,氮化鎵(GaN)也是重要材料之一,它廣泛應用于如今的手機快充中。相比一代、二代半導體技術,氮化鎵的出現本身具備電阻小、損耗低、能源轉化率高等優點。
更重要的是,它緊貼當前手機發展趨勢和人們對便攜度的剛需,使用氮化鎵技術的手機充電器,不僅具備損耗低、轉化率高等特點,同時還能利用材料本身優勢,將充電頭壓縮到更小的體積。
目前在快充領域取得重要突破的有OPPO、小米,其中OPPO早在19年就發布了國內首款氮化鎵充電器SuperVOOC 2．0,充電功率達到了65W,這一技術在此后長達一年的時間里就滲透了OPPO手機多個型號,許多消費者也愿意為更快的充電體驗買單。
去年是小米充電技術取得革命性突破的一年,正是得益于第三代半導體技術,讓充電頭更好地兼容百瓦充電速度,還進一步縮小了充電器體積,以此增強小米手機的競爭力。
壓力落到華為身上,由于眾所周知的原因,華為遭遇了前所未有的打擊,直到上個月推出鴻蒙OS才暫時恢復了一絲元氣,緩過神后才開始對手機硬件開始緊鑼密鼓的規劃,也許第三代半導體技術正是華為重啟高端旗艦規劃的其中一環。
現在入場的華為,還有機會嗎?
盡管如此,投資第三代半導體技術,并不能挽救華為在芯片方面的頹勢,因為目前在核心處理器行業,主要是由第一代半導體主管的,而第二、三代主攻的領域與芯片領域并不相同。
同時,目前第三代半導體領域已經有聞泰科技、三安光電這樣的先行者,華為投資后想要追趕上它們,難度還是相當大的。
雖然難度大,但華為其實可以借鑒聞泰科技和三安光電的做法。就拿聞泰科技來說,雖然華為并不具備生產能力,不能走ODM模式,但可以效仿聞泰科技收購安世半導體后的做法,利用投資第三代半導體后所獲得的資源,在手機、新能源汽車行業的電池充電技術方面下功夫,推動GaN技術研發,或許也能增加華為硬件方面的優勢。
近期,三安光電也有大動作,它在國內建立了首條碳化硅垂直整合產業鏈,以此借助第三代半導體技術,推動Mini/Micro LED氮化鎵芯片、砷化鎵芯片、4K顯示屏用封裝的發展。
三安光電利用第三代半導體技術,在符合未來發展趨勢的屏幕材質上的研發,也許能為華為提供一種思路,或許華為也可以利用現有資,在屏幕技術方面下功夫,以增強手機、平板、電腦等產品線的競爭力。
值得一提的是,三安光電憑借在第三代半導體技術的積累,還成為了三星Mini/Micro LED芯片的供應商,這一點來說,小黑認為這或許能給華為帶來新的啟發。
由此前華為與賽力斯的合作方式來看,華為與大多數廠商進軍新能源汽車的方式不同,華為僅提供軟件汽車的自動駕駛軟件。那么其實可以反過來,華為若借助第三代半導體,在屏幕芯片方面取得突破,是不是意味著能在屏幕領域中的硬件方面占據主動權,反過來為其他屏幕廠商提供芯片呢?這是否也能成為華為反擊的手段之一呢?
當然,以上情況只是小黑的猜測,就華為目前的所處的境況來看,華為投資第三代半導體也許只是華為的小嘗試,更多的還是集中于自身核心業務的發展,例如如何突破限制,如何擴展萬物互聯優勢,如何開辟全新的賽道等等。
