電子元件工業聯合會（JEDEC）剛剛正式發布了 HBM3 高帶寬內存標準，可知其較現有的 HBM2 和 HBM2e 標準再次迎來了巨大的提升。JEDEC 官方新聞稿寫道，JESD238 為新一代 HBM3 動態隨機存儲器指定了發展方向。除了 6.4 Gb/s 速率 @ 819 GB/s 的帶寬，它還支持 16-Hi 堆棧 @ 64GB 容量。

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　　據悉，HBM3 運用了創新方案，旨在帶來更高帶寬、更低功耗、以及更密集的單位容量，能夠極大推動圖形處理、高性能計算和服務器等領域的使用體驗。

　　以下是 HBM3 的主要特點：

　　● 在經過驗證的 HBM2 架構的基礎上進一步擴展帶寬，將每個引腳的速率提升一倍（定義 6.4 GB/s），以實現 819 GB/s 的高帶寬。

　　● 將獨立通道數從 HBM2 時代的 8 個提升至 16 個，且每個通道都有兩組“偽通道”（Pseudo Channels），意味 HBM3 可虛擬支持 32 通道。

　　● 支持 4-Hi、8-Hi、12-Hi 的硅通孔（TSV）堆棧，并為將來的 16-Hi 方案實現做好了準備。

　　● 支持每層 8~32 Gb 的容量密度，可輕松支持 4GB（8Gb 4-Hi）到 64GB（32Gb 16-Hi）設備密度，預計初代產品將基于 16Gb 存儲層。

　　● 為滿足市場對高平臺層級的可靠性、可用性與可維護性（簡稱 RAS）需求，HBM3 還一如了強大的、基于符號的片上 ECC，以及實時錯誤報告和透明度。

　　● 通過在主機接口端使用低擺幅（0.4V）信號和較低的工作電壓（1.1V），來進一步提升能效表現。

　　截圖（via WCCFTech）

　　英偉達技術營銷總監兼 HBM 小組委員會主席 Barry Wagner 表示：

　　憑借增強的性能與可靠屬性，HBM3 將為需要巨大帶寬和容量的新應用提供有力的支撐。

　　美光高性能內存與網絡事業部副總裁兼總經理 Mark Montierth 則稱：

　　HBM3 將使行業攀上更高的性能巔峰，提升可靠性并降低能耗。

　　美光將憑借先進內存堆疊和封裝方面的資深經驗，來引領后續的計算平臺市場。

　　SK 海力士 DRAM 產品企劃副總裁 Uksong Kang 補充道：

　　隨著 HPC 與 AI 應用的不斷進步，對更高性能和能效的需求增長，也較以往進一步加速。

　　隨著 JEDEC HBM3 標準的正式頒布，SK 海力士期待著通過增強型 ECC 方案，為客戶提供兼具高性能、最佳能效和更高穩定性的 DRAM 產品。

　　SK 海力士很高興能夠與行業合作伙伴攜手共建強大的 HBM 生態系統，最終為我們的客戶提供 TSG 和 TCO 方面的更高價值。

　　Synopsys IP 與戰略營銷副總裁 John Koeter 亦表示：

　　十多年來，Synopsys 一直是 JEDEC 的積極貢獻者，幫助推動了 HBM3、DDR5、LPDDR5 等先進內存接口在一系列新興應用中的開發和采用。

　　Synopsys 的 HBM3 IP 和驗證解決方案，已被公司客戶率先采用。通過加速新接口與高性能 SoC 的集成，還有助于具有高內存帶寬和能效的多芯片系統級封裝的設計與研發。