SK 海力士準備首次將2.5D 扇出（Fan out）封裝作為下一代內存技術。根據業內消息，SK海力士準備在HBM后下一代DRAM中整合2.5D扇出封裝技術。
韓媒BusinessKorea報道稱，這種技術將兩個DRAM芯片橫向排列，再像芯片一樣組合，因為芯片下面沒添加基板，能使芯片更薄，安裝在IT設備時的芯片厚度能大幅減少。SK 海力士最快明年公開采用這種封裝方式的研究成果。
2.5D 扇出封裝技術以前從未用于存儲器產業，過去主要是用于先進的系統半導體制造領域。臺積電2016年首次將扇出晶圓級封裝（FOWLP）商業化，將其16納米應用處理器與移動應用的DRAM整合到iPhone 7的一個封裝中，從而使這項技術推向舞臺。三星電子從今年第四季開始將這一技術導入 Galaxy 智能手機高級 AP 封裝中。
外界猜測，SK 海力士之所以在內存使用扇出封裝，是為了降低封裝成本。2.5D 扇出封裝技術可跳過硅通孔（TSV）制程，從而提供更多 I/O 數量并降低成本。業內人士推測，這種封裝技術將應用于Graphic DRAM（GDDR）和其他需要擴展信息I/O產品。
除了利用這項技術外，SK 海力士也努力鞏固與英偉達的合作，后者在HBM市場處于領先地位; SK 海力士也成為蘋果 Vision Pro 中 R1 這種特殊 DRAM 芯片的獨家供應商。
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