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2025年1-8月日本半導體設備銷售額同比增長19.2%
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2025Q4全球DRAM價格將繼續上漲8%-13%
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技術逆襲 三星頂級1c工藝將戰火全面燒向HBM4
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華為自研HBM內存正式公布
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高帶寬閃存HBF即將崛起
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先進制程設備及HBM成為AI芯片產能瓶頸
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谷歌最強AI平臺第七代TPU架構Superpod曝光
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三星HBM低價20-30%打進NVIDIA供應鏈
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二季度全球DRAM市場規模環比增長20%
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傳英偉達將自研HBM Base Die
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SK海力士終結三星33年霸主地位 成為全球最大DRAM制造商
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SEMI報告顯示HBM滲透率達25%將引領硅晶圓將供不應求
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傳三星12層堆疊HBM3E已通過英偉達認證
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卡住AI脖子 HBM成韓國出口王牌
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SK海力士將1c DRAM制造引入六層EUV工藝
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SK海力士預言HBM市場未來十年年增30%
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三星DDR4停產時間延后至2026年底
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NEO半導體公布X-HBM架構概念
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三星計劃大幅降低HBM3e價格以吸引英偉達
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2025Q2全球半導體硅片出貨面積同比增長9.6%
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消息稱三星2018年錯失與英偉達CUDA綜合深度合作良機
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傳英偉達今年將在AI產品中部署80萬個SOCAMM內存模塊
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LG電子啟動混合鍵合設備開發追逐未來HBM內存制造關鍵技術
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銷路不佳 三星HBM3E內存產量砍半
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2026年日本半導體設備銷售額將突破5萬億日元
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HBM內存價格戰風雨欲來
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美光披露其對美國2000億美元投資計劃細節
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美光最新一季HBM營收環比大漲50%
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英偉達在SK海力士HBM內存銷售額占比降至80%
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SK海力士已向英偉達小批量供應HBM4
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