8月11日消息，據韓國媒體ZDNet報道，SK 海力士在 1c DRAM 制造方面取得重大進展，首次使用了6層EUV光刻，這將使 DDR5 和 HBM 產品的性能和良率更上一層樓，并使該公司成為該領域的領導者。
報道稱，10nm級的DRAM已經開始引入了EUV光刻技術，但通常只有很少的關鍵層數應用，絕大部分依然是DUV光刻。但是，SK海力士在其1c制程DRAM制造上，首次升級到了6層EUV光刻，這將有助于提升產品的性能和良率，使得SK海力士能夠推出存儲位元更密集、讀寫速度更快、功耗更低的DDR5內存以及更高容量的HBM堆棧。此前的傳聞顯示，SK海力士的 1c DRAM 已經實現了 80%-90% 的良率。
雖然，目前SK海力士的1c DRAM尚未應用于任何傳統的消費類內存解決方案，但 SK 海力士正在探索各種選擇，我們很可能會看到更大容量的 DDR5和HBM。預計SK海力士將會在 1d 和 0a DRAM 等下一代產品上更多的使用EUV光刻，最終將為使用更先進的High NA EUV奠定基礎。
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