1 月 21 日消息，Chosun 援引業內人士消息稱，三星電子代工廠已開始針對其第二代 3nm 級工藝 SF3 進行試生產。據報道，該公司計劃在未來六個月內將良率提高至 60% 以上。
消息人士稱，三星正在測試 SF3 節點上制造的芯片的性能和可靠性；首個采用三星 SF3 工藝的芯片預計將會是專為可穿戴設備設計的應用處理器，計劃用于今年晚些時候發布的 Galaxy Watch 7 等產品。
同時，Chosun 預計該公司還將為明年的 Galaxy S25 系列智能手機所搭載的 Exynos 2500 芯片使用這一節點。
三星此前表示，計劃在 2024 年下半年開始大規模量產 SF3 芯片；2023-2024 年將以 3nm 生產為主，即 SF3 (3GAP) 及其改進版本 SF3P (3GAP+)，而且該公司還計劃于 2025-2026 年開始推出其 2nm 節點。
據三星介紹，SF3 節點可以在同一單元內實現不同的環繞柵（GAA）晶體管納米片通道寬度，從而提供更高的設計靈活性。這也能夠為芯片帶來更低的功耗和更高的性能，并通過優化設計來增加晶體管密度。
通過 TrendForce 數據獲悉，臺積電去年第三季度占據了全球晶圓代工市場 57.9% 的份額。三星電子以 12.4% 的份額位居第二，兩家公司之間的差距超過 40 個百分點。
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