3 月 6 日消息，固態技術協會 JEDEC 今日正式發布 JESD239 GDDR7 顯存標準（Graphics Double Data Rate），JESD239 GDDR7 提供的帶寬是 GDDR6 的兩倍，每臺設備最高可達 192 GB/s。
據介紹，JESD239 GDDR7 是第一個使用脈幅調制（Pulse Amplitude Modulation，PAM）接口進行高頻操作的 JEDEC 標準 DRAM。其 PAM3 接口提高了高頻操作的信噪比（SNR），同時提高了能源效率。通過使用 3 個級別（+1，0，-1）在 2 個循環上傳輸 3 個比特，而傳統的 NRZ（不歸零）接口在 2 個周期上傳輸 2 個比特，PAM3 提供了更高的每循環數據傳輸速率，從而提高了性能。
JESD239 GDDR7 的其他高級功能包括：
具有眼圖掩蔽和錯誤計數器的核心獨立 LFSR（線性反饋移位寄存器）訓練模式，可提高訓練準確性，同時減少訓練時間。
獨立通道數量翻倍，從 GDDR6 中的 2 個增加到 GDDR7 中的 4 個。
支持 16 Gbit 至 32 Gbit 密度，包括支持 2 通道模式以使系統容量加倍。
通過整合最新的數據完整性功能，包括帶實時報告的片上 ECC（ODECC）、數據中毒、錯誤檢查和清理以及帶命令阻塞的命令地址奇偶校驗（CAPARBLK），滿足 RAS（可靠性、可用性、可維護性）的市場需求。
JEDEC 董事會主席 Mian Quddus 表示：“JESD239 GDDR7 標志著高速顯存設計的重大進步。隨著向 PAM3 信號的轉變，顯存行業有了一條新的途徑來擴展 GDDR 設備的性能，并推動圖形和各種高性能應用的不斷發展?！?/p>
JEDEC GDDR 小組委員會主席 Michael Litt 說道：“GDDR7 是首款不僅專注于帶寬，而且通過整合最新數據完整性功能來滿足 RAS 市場需求的 GDDR，這些功能使 GDDR 設備能夠更好地服務云游戲和計算等現有市場，并擴展到 AI。”
從公告中獲悉，AMD、美光、英偉達、三星、SK 海力士都對該標準表示了支持。此外，三星和美光都已經制定了下一代 GDDR7 模塊的開發計劃。三星的目標是 32 Gbps 速度，實現 1.6 倍的性能提升；而美光的目標也是 24 Gb+ 32 Gbps 芯片。美光在最新的路線圖中還表示，到 2026 年，將推出高達 36 Gbps 和 24Gb+ 的顯存芯片。
