5月21日消息，據媒體報道，三星計劃利用其即將推出的第二代3nm工藝技術來爭奪英偉達的芯片代工訂單。
但最新報告顯示，三星3nm工藝的良率僅為20%，這可能成為其競爭中的一個重大障礙。
與此形成鮮明對比的是，臺積電的N3B工藝良率已接近55%，這使得臺積電在先進芯片制造領域保持了其行業領導者的地位。
三星的低良率意味著其生產成本將更高，這可能會削弱其在價格和性能方面與臺積電競爭的能力。
三星電子晶圓代工部門已經制定了“Nemo”計劃，目標是在2024年贏得英偉達的3nm芯片代工訂單。
然而，目前三星代工部門尚未成立專門的組織來攻關，且良率問題仍是其面臨的主要難題。
業界分析人士指出，三星電子預計將在2024年上半年開始量產第二代3nm GAA工藝，這將是三星縮小與臺積電差距的關鍵。
為了提高良率，三星晶圓代工部門正在全力以赴，并開始不惜一切代價確保技術的成功。
韓國市場分析師認為，由于地震和地緣政治等不穩定因素，2024年可能是三星縮小與臺積電差距的最佳時機。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。