·ST將在意大利卡塔尼亞新建8英寸碳化硅功率器件和模塊大規模制造及封測綜合基地

　　·這項多年長期投資計劃預計投資總額達50億歐元，包括意大利政府按照《歐盟芯片法案》框架提供的20億歐元資金

　　·卡塔尼亞碳化硅產業園將實現ST的碳化硅制造全面垂直整合計劃，在一個園區內完成從芯片研發到制造、從晶圓襯底到模塊的碳化硅功率器件全部生產，賦能汽車和工業客戶的電氣化進程和高能效轉型

　　2024年6月6日，中國 -- 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 （STMicroelectronics, 簡稱ST; 紐約證券交易所代碼： STM），宣布將在意大利卡塔尼亞打造一座集8英寸碳化硅（SiC）功率器件和模塊制造、封裝、測試于一體的綜合性大型制造基地。通過整合同一地點現有的碳化硅襯底制造廠，意法半導體將打造一個碳化硅產業園，實現公司在同一個園區內全面垂直整合制造及量產碳化硅的愿景。新碳化硅產業園的落地是意法半導體的一個重要里程碑，將幫助客戶借助碳化硅在汽車、工業和云基礎設施等領域加速電氣化，提高能效。

　　意法半導體總裁兼首席執行官Jean-Marc Chery表示：“卡塔尼亞碳化硅產業園將給ST帶來完全垂直整合的碳化硅制造實力，為ST的SiC技術在未來幾十年在汽車和工業市場保持領先地位做出巨大貢獻。該項目帶來的規模經濟和協同效應將讓我們能夠更好地利用大規模制造能力進行技術創新，助力歐洲乃至全球客戶加快電氣化轉型，尋求能效更高的解決方案，實現他們的低碳減排目標。”

　　作為意法半導體全球碳化硅生態圈的中心，該碳化硅產業園將整合制造流程中的所有工序，包括碳化硅晶片襯底開發、外延生長工藝、8英寸晶圓制造及模塊封裝、工藝研發、產品設計，以及先進的裸片、電源系統、模塊研發實驗室和封裝測試。該項目將成為歐洲首個一站式量產8英寸碳化硅的綜合制造基地，整合碳化硅生產的每道工序（襯底、外延、晶圓加工和芯片封測）。為提高芯片良率和性能，該項目將采用8英寸晶圓制造技術。

　　該項目預計2026年運營投產，在2033年前達到全部產能，在全面落成后，晶圓產量可達1.5萬片/周。該項目總投資額預計約為50億歐元，意大利政府將按照《歐盟芯片法案》框架提供約20億歐元的資金支持。該碳化硅產業園從設計、開發到運營將全部融入可持續發展的理念，確保以負責任的方式消耗水、電力等資源。

　　補充信息

　　碳化硅 （“SiC”） 是一種由硅和碳兩種元素組成的重要的復合材料（和技術）。在電力應用領域，與傳統的硅材料相比，碳化硅具有多重優勢。碳化硅的寬禁帶及其固有特性，例如，導熱性更好，開關速度更快，耗散功率更低，使其特別適合制造高壓功率器件，特別是1200V以上的功率器件。在市面上銷售的碳化硅功率器件分為碳化硅 MOSFET裸片和全碳化硅模塊兩大類，與傳統硅半導體相比，碳化硅輸出電流更高，靜態漏電流更低，能效更高，特別適用于電動汽車、快速充電基礎設施、可再生能源和各種工業應用（包括數據中心）。然而，與硅基芯片相比，碳化硅芯片的制造難度更大，成本更高，在制造工藝的產業化過程中，還有許多挑戰需要克服。

　　意法半導體在碳化硅市場的領先優勢基于公司25年來長期專注和技術研發和擁有的大量關鍵專利?？ㄋ醽嗛L期以來一直是意法半導體技術創新的重要場所，是公司最大的碳化硅研發中心和制造活動所在地，為公司開發更多、更好的碳化硅產品做出了貢獻。隨著公司功率電子元器件生態系統的形成，包括意法半導體與卡塔尼亞大學和CNR（意大利國家研究委員會）以及大型供應商網絡的長期合作，該投資將加強卡塔尼亞碳化硅技術全球技術創新中心的作用，為碳化硅市場進一步增長創造機會。

　　意法半導體目前已經在意大利卡塔尼亞和新加坡宏茂橋的兩條6英寸晶圓生產線上量產碳化硅旗艦產品，而在建中的意法半導體和三安光電中國重慶8英寸碳化硅合資制造廠將成為公司第三個SiC晶圓制造中心，專門服務中國市場。與此同時，意法半導體位于摩洛哥布斯庫拉和中國深圳的后端工廠將為上述碳化硅晶圓廠提供各種封裝測試，包括車規級和大規模量產的碳化硅產品。而碳化硅襯底則由意法半導體位于瑞典北雪平和意大利卡塔尼亞的研發制造基地提供——由于意法半導體正在加快襯底產能，公司大多數碳化硅產品相關研發設計人員都部署在這兩個地方。

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