7 月 8 日，氮化鎵（GaN）技術廠商宜普電源轉換公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC，以下簡稱宜普公司）宣布美國國際貿易委員會（U.S. International Trade Commission, ITC）最新確認其兩項關鍵專利有效，并且判定英諾賽科（珠海）科技有限公司（Innoscience (Zhuhai) Technology Company Co., Ltd.）和其子公司英諾賽科美國公司（Innoscience America, Inc.）（以下簡稱英諾賽科）侵犯了其中一項專利。

早在去年5月25日，宜普公司向美國聯邦法院和美國ITC提起訴訟，主張其基礎專利組合中的四項專利受到了英諾賽科及其子公司侵犯，這些專利涵蓋了宜普公司專有的增強型氮化鎵功率半導體器件的設計和大批量制造工藝的核心技術方面。

在提交的起訴狀中，宜普公司詳述了總部位于中國廣東的英諾賽科公司招募兩名宜普公司員工并擔任其首席技術官和銷售及市場主管的相關細節。 宜普公司指控兩人入職英諾賽科后不久，英諾賽科便推出了一套與宜普公司明顯相同的產品，英諾賽科還自稱其產品在關鍵性能指標上的表現與宜普公司產品幾乎相同。

隨后，英諾賽科又宣稱其許多產品與市場上現有產品（包括宜普公司的產品）“完全兼容"。此外，英諾賽科還策劃了大膽而積極的營銷活動，向宜普公司的客戶推銷其產品套件。

對此，宜普公司向聯邦法院和美國ITC起訴英諾賽科公司專利侵權、尋求損害賠償，并希望能夠禁止英諾賽科公司將其構成侵權的氮化鎵產品套件進口至美國。

今年4月27日，英諾賽科通過官網宣布，就英諾賽科主張宜普公司四件專利無效事宜，美國專利商標局于2024年3月20日對其中兩件專利做出立案決定，于3月26日對另外兩件專利做出新的立案決定，美國專利商標局正在對四件專利是否有效進行最終審查。

英諾賽科當時表示，宜普公司對英諾賽科的專利訴訟是毫無根據的。美國專利商標局在2024年3月20日和26日做出的四個決定中，三名法官均初步同意了英諾賽科的觀點，即初步同意EPC的四件專利無效。在后面的兩個新決定中，英諾賽科詳細闡述了多個無效理由，美國專利商標局在初審中基本同意了所有無效理由。在這兩個專利無效案件中，再次基于EPC聯合創始人/發明人在International Rectifier任職時的一件在先專利，英諾賽科認為EPC的這兩件專利無效，美國專利商標局在立案決定中初步同意了英諾賽科的觀點。接下來，美國專利商標局將收到補充陳述意見，最晚將在2025年3月26日做出最終決定。

英諾賽科稱，宜普公司的四件專利可能全部無效， 其對英諾賽科的指控缺乏事實依據，英諾賽科有信心在與EPC的法律糾紛中取得最終的全面勝利。

時隔3個多月之后，近日，美國ITC初步裁定宜普公司針對英諾賽科主張的四項專利中的兩項專利均有效，同時認為“英諾賽科侵犯了宜普公司核心專利（美國專利號 No. 8,350,294）”，該項專利廣泛應用于多個行業。宜普公司的另一項專利（美國專利號 No. 8,404,508）同樣被裁定有效，但未受英諾賽科侵權。委員會的最終裁定預計在美國當地時間 2024 年 11 月 5 日發布。

也就是說，就目前的初步裁定來看，宜普公司指控英諾賽科侵犯其四項專利的指控，實際上英諾賽科僅侵犯了其中一項專利。

目前英諾賽科尚未對此做出回應。

宜普公司則表示，此次美國ITC對宜普公司氮化鎵技術專利的確認有效，鞏固了宜普公司在寬禁帶半導體行業領導地位的重要里程碑，并有可能導致今年晚些時候英諾賽科的相關侵權產品進入美國市場受禁。值得注意的是，在此之前中國國家知識產權局（CNIPA）也分別確認了宜普公司在中國的對應專利的有效性。

宜普公司首席執行官兼聯合創始人 Alex Lidow 博士表示：“國際貿易委員會認為英諾賽科未經授權使用我們的專利技術，這讓我們處于一個非常令人羨慕的地位，因為中美兩國的監管機構都維持了我們專利的有效性?！?/p>

Lidow 博士補充道：“這是對我們近二十年來辛勤工作、不斷投入資源、持續研發從而擴大我們公司具有獨特價值的知識產權組合的肯定?！?/p>

資料顯示，與傳統的硅基功率器件相比，氮化鎵技術帶來了顯著的進步，促進了功率器件的效率和開關速度，同時降低了尺寸和成本。氮化鎵器件在自動駕駛汽車、醫療和通信設備、下一代快速充電器、無人機、衛星、數據中心、電動自行車、太陽能系統和仿人機器人等各類應用中均發揮著重要作用。

在過去 15 年里，宜普公司借助其先發優勢開發了 200 多項與氮化鎵相關的專利和 150 多種產品，其中包括快速發展的集成電路系列、車規級和抗輻射設備。

成立于2015年12月英諾賽科，是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵研發與產業化的中國高新技術企業，公司采用IDM全產業鏈模式，集芯片設計、外延生長、芯片制造、測試與失效分析于一體，主要產品涵蓋從低壓到高壓（15V-1200V）的氮化鎵功率器件。

根據英諾賽科的招股書顯示，截至2023年12月31日，其在全球有約700項專利及專利申請，涵蓋芯片設計、器件結構、晶圓制造、封裝及可靠性測試等關鍵領域。

招股書還顯示，英諾賽科累計向約100名境內外客戶提供了氮化鎵產品。2023年英諾賽科營收5.93億元，其中境外銷售收入5800萬元，占同期總收入的9.8%。

雖然，從上述數據來看，美國市場如果禁售英諾賽科的相關侵權產品，對于其直接影響可能比較有限。但需要指出的是，采用英諾賽科相關侵權氮化鎵芯片的終端產品在美國市場也將面臨禁售，因此，英諾賽科國內客戶產品要想進入美國市場，就不能繼續采用英諾賽科相關侵權產品，這也將間接影響英諾賽科部分來自國內客戶的營收。