5 月 8 日消息，韓媒《朝鮮日報》在當地時間昨日的報道中表示，兩大韓系 DRAM 內存原廠三星電子和 SK 海力士都正在考慮將混合鍵合技術引入下一代 HBM 內存 —— HBM4 中。
消息人士透露，三星電子預計最早將于明年的 HBM4 內存中采用混合鍵合，而 SK 海力士可能會在稍晚的 HBM4E 中導入；美光和其它企業則計劃考慮導入有凸塊鍵合的迭代版本：無助焊劑鍵合。
相較于現有 HBM 內存使用的有凸塊鍵合，無凸塊的混合鍵合有利于降低 HBM 內存堆棧的層高，支持更多堆疊層數，同時其也具備電氣性能上的優勢，可實現更出色的傳輸速率。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。