日前，臺積電當下最先進的2nm制程工藝在今年下半年量產后到今年末的產能將達40000~50000 WPM（晶圓/月）。同時，日本半導體也逆襲成功，日本芯片制造商Rapidus已宣布啟動2nm晶圓的測試生產，預計2027年正式進入量產階段。這標志著全球半導體產業進入新紀元，更讓國產芯片在架構創新與生態協同中看到破局希望。
手機芯片2nm制程賽道正在開啟
全球芯片代工領域2nm制程競爭已進入白熱化。臺積電2nm工藝良率已突破60%，并計劃于2025年下半年啟動量產。這一進度遠超行業預期，蘋果、NVIDIA、AMD、高通和聯發科等核心客戶已明確納入首批合作名單。
三星則以“激進策略”迎頭追趕。其2nm工藝良率目前穩定在40%，雖落后臺積電但進展顯著。三星計劃將2nm芯片率先應用于2026年旗艦機型Galaxy S26的Exynos 2600處理器，并試圖通過價格優勢爭取更多外部客戶。然而，良率差距導致的成本劣勢仍是三星擴大市場份額的主要障礙。
國產芯片制造商競爭對手增加
日本Rapidus公司的入局為全球2nm賽道注入新變量。其已啟動2nm晶圓測試生產，并計劃2027年實現量產；其技術路線聚焦于“小而精”的定制化芯片，目標客戶包括汽車、工業設備等領域。這與國產芯片廠商中芯國際、華虹集團的市場定位形成直接競爭。
對于國產芯片而言，外部壓力遠不止于此。在設備端，ASML高端EUV光刻機對華出口受限，導致國內先進制程研發進度滯后；在材料端，日本主導的半導體化學品市場占據全球60%份額，地緣風險加劇供應鏈不穩定。中芯國際雖已實現14nm量產，但7nm及以下工藝仍依賴進口設備。
更嚴峻的挑戰在于生態壁壘。臺積電、三星通過長期技術積累構建了完整的IP庫與EDA工具鏈，而國產廠商在先進制程設計能力上仍有差距。
多方協力助國產芯片產業破局
技術上，國產芯片制造商加大研發投入，積極探索3D封裝、新型存儲技術等，利用RISC-V架構繞開專利壁壘。例如，樂鑫科技和沁恒微等公司已經推出了基于RISC-V架構的芯片產品，并在市場上取得了良好反響。
產業層面，國產芯片制造商加強設計與制造等上下游協同，實現自主可控。奇瑞汽車與南京芯馳半導體等公司的合作，共同開發智能座艙系統，就是一個典型的案例。
政策方面，國家爭取政策支持，吸引人才，助力企業提升技術水平，突破困境。珠海、廣州、上海等地相繼出臺政策，從戰略規劃到落地扶持，從全鏈條布局到專項突破，展現出中國在半導體領域加速突圍的決心與行動力。
芯片2nm賽道已經開啟，國產芯片制造商面臨著激烈的競爭和設備受限的挑戰。然而，通過架構創新、產業協同和政策支持等方式，國產芯片產業有望實現破局，并在全球半導體市場中占據一席之地。
