1 引言

　　功率金屬- 氧化物- 半導體場效應晶體管（MOSFET）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）、智能功率模塊（IPM）被譽為新型電力電子器件的代表，廣泛應用于工業控制、電力機車、家用電器、綠色照明、計算機、汽車電子等諸多領域。目前，我國功率MOSFET 產業已經初步形成，產品主要集中在60V~600V 中小電流范圍，對于200V/100A以上的中高壓大電流器件，尚未見到國產的成熟產品。這類器件主要應用于大功率DC-DC 換流器、同步整流、開關模式或諧振模式電源、DC 斬波器、電池充電等領域?；趽P州國宇電子有限公司5 英寸功率MOSFET 技術，本文提出了一種200V/100A VDMOS器件元胞結構，然后重點闡述了包括光刻、刻蝕、擴散等在內的關鍵制造工藝，最后對測試結果進行了分析。

　　2 器件結構

　　按照導電溝道相對于硅片表面的方向不同，功率MOSF ET 通常分為平面型VDMOS 和溝槽型TrenchMOS，二者均通過兩次擴散在柵氧一側形成長度不同的摻雜區域來構造導電溝道。由于溝槽刻蝕使得柵氧形成于縱向，極大地提高了硅片表面利用率，并消除了JFET 區，因而TrenchMOS器件橫向尺寸得以顯著減小，每平方厘米可達數千萬個元胞，其精細程度已進入深亞微米范疇。不過，由于溝槽底部拐點區域固有的電場集中效應，TrenchMOS 主要應用于數十伏的低壓領域，在150V~600V 的中高壓范圍內，平面型VDMOS 仍是主流。此外，平面型VDMOS 還具有工藝相對簡單、成品率高的特點。

　　正向導通狀態下，功率MOSFET 最大額定電流主要受限于功率耗散，即：

　　其中Pd 為功率耗散，RDS(on)為導通電阻，TJ(max)、T 分別為器件允許的最高工作溫度和實際工作溫度，RthJC 為器件熱阻，與封裝有關?？梢?，導通電阻是最大額定電流的決定性因素之一，在器件綜合性能允許的情況下，最大程度地降低導通電阻是器件設計的關鍵環節，也是功率MOSFET 自上世紀八十年代出現以來，工程師們持之以恒的追求。2009年8月，美國Fairchild 公司開發出世界上首只導通電阻小于1m Ω的功率MOSFET，最大額定電壓/ 電流為30V/60A，主要得益于高密度溝槽柵技術的采用使得單位面積內有更多元胞并聯，增大了溝道總有效寬度，從而顯著地減小了以溝道電阻為主的導通電阻。

　　對于中高壓平面型VDMOS 器件來說，增加元胞數量以減小導通電阻也是有效的方式，一方面可以減小漂移區電阻和JFET 區電阻，另一方面也增大了總的溝道有效寬度，盡管溝道電阻可能不再是主要矛盾。不過，元胞數量的增加必然增大器件面積，最終受限于由柵電容決定的開關損耗， 因此，VDMOS 器件設計需要折衷考慮導通電阻和開關損耗，對外延層厚度、摻雜濃度、元胞結構、柵氧厚度、面積等參數進行優化。對于一定的阻斷電壓，采用增大元胞內溝道寬度以減小溝道電阻、增大多晶覆蓋下的非溝道區域柵氧厚度以減小柵電容是減小器件功率耗散的有效途徑。

　　設計的器件元胞結構如圖1 所示，圖1（a）為元胞俯視圖，圖1（b）為A-A 處剖面示意圖，其中LOCOS 為局域氧化區，POLY 為多晶硅覆蓋區，CH為歐姆接觸孔，GOX為柵氧，PSG為磷硅玻璃，N+、N-、P- 分別為N型高摻雜區、N 型低摻雜區、P 型低摻雜區。圖1（a）中多晶覆蓋區邊緣呈圓弧形，其溝道呈放射狀分布，具有比直線型排列溝道更大的寬度。

圖1 200V/100A VDMOS 器件元胞結構示意圖

　　3 工藝流水

　　根據揚州國宇電子有限公司現有多晶硅柵自對準工藝，制定了如下工藝流程：

　　備片→薄氧氧化→ SiN 淀積→一次光刻→刻蝕→場氧化→ SiN 剝離→柵氧氧化→多晶硅淀積→ 多晶硅摻雜→二次光刻→多晶硅刻蝕→中劑量硼（P-）注入→三次光刻→大劑量硼（P+）注入→ P 阱推進→四次光刻→大劑量磷（N+）注入→PSG淀積→PSG致密→五次光刻→接觸孔刻蝕→金屬化→ 六次光刻→金屬刻蝕→合金→鈍化介質淀積→七次光刻→刻蝕→原片減薄→背面金屬化→測試上述流程中，柵氧化、第三、四、五次光刻與第二次光刻套準、多晶硅刻蝕、P 阱推進等為關鍵工藝，需要重點監控，其余工藝均相對成熟。

表1 柵氧化工藝條件

　　3.1 柵氧化

　　質量較好的柵氧，其擊穿特性為本征擊穿，通常厚度為10nm的氧化層其擊穿電壓需達到8V以上。

　　除了熱氧化工藝本身外，氧化前處理也是重要環節。

　　此處采用SC3 液和HF溶液處理，完成后沖水、甩干，入擴散爐管進行熱氧化，加工條件如表1 所示。氧化完成后，用膜厚儀測試得到膜厚平均值為100 ±3nm，均勻性良好。

　　3.2 光刻套準

　　平面型VDMOS N+ 源區、P+ 注入區、歐姆接觸孔等位置在元胞內通常呈中心對稱，如圖1 所示，這是器件電學特性一致性和可靠性的要求。由于自對準工藝采用多晶硅刻蝕后的圖形作為P- 注入掩蔽，其后的N+ 注入掩蔽需要位于多晶硅刻蝕窗口的中心位置，P+ 注入光刻和歐姆接觸孔光刻后形成的窗口也需要位于該區域中心。上述要求除了版圖設計時的精確度量以外，加工過程中的實際套準也至關重要。通常采用數套游標圖形以監控光刻工藝中的套準，本次設計采用第三、四、五圖層游標對套第二層游標的方法，光刻顯影后的實際套準狀況如圖2所示。可見第四次光刻（NLS）與第二次光刻（PLY）套準良好，X 和Y 方向的誤差不超過0.1 μm。第三層與第五層也有類似結果，此處不再一一列出。

圖2 NLS 光刻與PLY光刻套準游標

　　3.3 多晶硅刻蝕

　　多晶硅柵自對準工藝要求作為P- 注入掩蔽的多晶硅覆蓋區邊緣光滑、側壁陡直，因此通常采用干法刻蝕工藝形成多晶硅刻蝕窗口，其中刻蝕氣氛、射頻功率、真空度等條件對刻蝕速率、均勻性、各項異性效果影響很大。采用HITACHI M-206 II 設備，首先以一定比例SF6 和CHF3 混合氣體去除多晶硅表面氧化層，然后用Cl2 和HBr 混合氣體刻蝕多晶硅及部分柵氧層。由圖3 可見，采用上述條件刻蝕多晶硅，可以得到接近87°的側壁角度，表面光滑齊整；尤其重要的是，刻蝕完成后的剩余柵氧厚度較為均勻，控制在500 ± 50 μm 的范圍，有利于后續P- 和N+ 注入的均勻性。

 

圖3 干法刻蝕多晶硅圖片

　　3.4 P阱推進

　　導電溝道形成于P 阱表面，該處雜質分布是決定器件閾值電壓的關鍵參數之一，而且，P 阱深度及雜質擴散輪廓與元胞和場限環擊穿電壓密切相關，也是器件抗雪崩擊穿能力的決定性參數。盡管設計良好的器件對于P 阱推結工藝有一定容差，此工序仍應重點監控。采用1150℃，純N2條件下推進330min，得到的結深約6.5 μ m，擴展電阻法測試結果如圖4所示。

圖4 P 阱擴展電阻測試曲線

　　4 測試結果

　　流水所得芯片如圖5 所示，面積14400 μ m ×10800μm，其中左邊兩個角上深色方塊為柵極壓點，中間區域七個深色圖形為源極壓點。采用JU NODTS1000 系統測試結果如表2 所示，各參數良好，其中RDS(on)和Vsd 均為脈沖測試。圖6 為元胞掃描電鏡圖片，其中N 阱、P 阱及多晶硅下的“鳥嘴”清晰可見，后者顯著減小了該區域柵電容。圖7、圖8 分別為Tektronics 371 晶體管圖示儀測試所得漏源擊穿電壓和柵源耐壓波形，可見器件漏源擊穿特性良好，柵源耐壓大于83V，達到本征擊穿。

 

圖5 200V/100A芯片照片

 

圖6 元胞掃描電鏡分析

圖7 漏源擊穿電壓波形

圖8 柵源耐壓波形

表2 200V/100A VDMOS器件參數測試結果

　　5 結論

　　本文采用圓弧形分布溝道與局域氧化相結合的方法開發出一種200V/100A VDMOS器件，在一定程度上解決了器件導通電阻改善與開關損耗增大的矛盾。對流水過程中的關鍵工藝進行了監控，所得器件具有較好的綜合性能， 為國產大電流功率MOSFET 器件研發探索出一條途徑。