| 一種無片外電容LDO的瞬態增強電路設計 | |
| 所屬分類：技術論文 | |
| 上傳者：serena | |
| 標簽： 無片外電容 LDO | |
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| 文檔介紹： 利用RC高通電路的思想，針對LDO提出了一種新的瞬態增強電路結構。該電路設計有效地加快了LDO的瞬態響應速度，而且瞬態增強電路工作的過程中，系統的功耗并沒有增加。此LDO芯片設計采用SMIC公司的0.18m CMOS混合信號工藝。仿真結果表明：整個LDO是靜態電流為3.2A；相位裕度保持在90.19g以上；在電源電壓為1.8 V，輸出電壓為1.3 V的情況下，當負載電流在10 ns內由100 mA降到50 mA時，其建立時間由原來的和28s減少到8s；而在負載電流為100 mA的條件下，電源電壓在10 ns內，由1.8 V跳變到2.3 V時，輸出電壓的建立時間由47s降低為15s。 | |
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