國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用新型 WideLead TO-262 封裝的車用 MOSFET 系列，與傳統的 TO-262封裝相比，可減少 50% 引線電阻，并提高 30% 電流。
這款新型車用 MOSFET 系列適合需要低導通電阻 (Rds(on)) 的通用大負荷/高功率通孔應用，內燃機 (ICE) 汽車電動助力轉向系統和電池開關，以及各類微型和全混合動力汽車。新器件采用 IR 先進的硅和封裝技術，在顯著提高性能的同時可與現有的設計標準相匹配。
在標準 TO-262 通孔封裝中，除了 MOSFET 導通電阻，源極和漏極引線電阻可增至1mΩ。新 WideLead TO-262 通孔封裝可將引線電阻降至不到 0.5 mΩ，大大減少了引線中的傳導損耗和熱量，在特定的工作溫度下，比傳統的 TO-262 封裝的電流承載能力高30%。根據評估，在直流電為 40A 和 60A 的條件下，WideLead 引線溫度比標準 TO-262分別低 30% 和 39%。此外，隨著其它封裝技術的提高，WideLead 比標準 TO-262 封裝中的同等 MOSFET 少傳輸 20% 導通電阻。
IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“新型 WideLead TO-262 封裝的設計靈感來自于DirectFET封裝超低芯片自由阻抗的出色性能，以及傳統 TO-262 封裝的各種局限性。IR 新型 WideLead 封裝中的 MOSFET 新系列在傳輸高電流的同時，大大降低了引線中的傳導損耗和自身熱量，從而為汽車應用提供了一個堅固可靠的解決方案。”
所有 IR 車用 MOSFET 產品都遵循 IR 要求零缺陷的汽車質量理念，并經過了動態和靜態器件平均測試及 100% 自動晶圓級目視檢查。
新器件符合 AEC-Q101 標準，是在IR要求零缺陷的汽車質量理念下研制而成的。它環保、無鉛，也符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。
產品規格
器件編號
封裝
V(BR)DSS (V)
10VGS時的
最大導通電阻 (mΩ)
TC 為
10VGS 時的
QG 典型值(nC)
AUIRF1324WL
TO-262WL
24
1.3
240
120
AUIRF3004WL
TO-262WL
40
1.4
240
160
