一 引言
DC-DC轉換器的效率和功率損耗是許多電子系統的一個重要特征參數?？梢詼y量出這些特征參數，并用下面的直觀方式進行表達：
效率 = 輸出功率 / 輸入功率 （1）
功率損耗 = 輸入功率-輸出功率 （2）
但是對于每個元器件做為一個單獨熱源在損耗中所占的比重，這樣的結果沒有提供任何信息。而我們的方法學能讓設計者更好地選擇針對其應用的最佳DC-DC實現方案。
二 降壓轉換器的實例
降壓轉換器中的主要熱源是高邊MOSFET、低邊MOSFET和電感器。如果我們使用電工學方法來判定高邊MOSFET的功率損耗，那么就必須測量漏極電流、漏源電壓、柵極電流和柵源電壓。不幸的是，如果不在電流路徑中引入額外的電感和干擾電路的正常工作，要在高頻DC-DC轉換器中測得這些數據是非常困難的。但借助熱成像攝像機，我們研究出一種求解每個熱源功率損耗的新方法，而且不會影響電路的工作。
三 新方法的基本原理
在一個電路中，將電能轉換為熱能的元器件是熱源。能量轉換成熱會增加熱源器件的和周圍環境的溫度。轉變成熱的能量就是元器件的功率損耗。整個溫升（？T）取決于功率損耗（P）和環境。對于一個在固定測試臺上的某塊PCB板，？T是功率損耗的唯一函數。因此，如果我們測量出？T，就可以推導計算每個熱源功率損耗的方法。
四 基本原理的推導
為簡單起見，假設在PCB板上有兩個熱源（HS1和HS2）。HS1工作時不但使其自身的表面溫度會升高，也會提高HS2的表面溫度，對HS2來說也是如此。因此，每個熱源的最終？T可以用下面的等式來表示。
Sij （i， j = 1，2）是熱敏感度系數，與熱阻的度數相同
Pi是每個熱源的功率損耗
等式（3）也可以擴展到N個熱源的情況。在這種情況下，每個熱源的溫升可以由下式給出。
S是一個N x N的矩陣
如果我們知道S的數值，就可以由下式得到每個熱源的功率損耗。
假設Sij與溫度或電路的工作狀態無關，那么就可以由等式6確定每個Sij。
這里，DTi是第i個熱源的溫升，Pj是第j個熱源消耗的功率。所有其他器件都不起作用。
每次我們都使用簡單的直流技術給一個熱源供電，這樣就可以以非侵入式方式測量熱敏感度的系數。我們對被測器件（IC，MOSFET和電感器）施加直流電壓和電流，迫使器件開始消耗能量，然后測出Pj。然后我們使用熱成像攝像機測量表面溫度的？Ti，接著就可以用上面的等式（6）計算出Sij。
我們使用了新的方法學計算兩個降壓拓撲的主熱源：一個使用SiC739D8 DrMOS IC的集成式功率級，和一個使用兩個MOSFET的分立式功率級，在分立式功率級中，Si7382DP在高邊，Si7192DP在低邊。
一 引言
DC-DC轉換器的效率和功率損耗是許多電子系統的一個重要特征參數。可以測量出這些特征參數，并用下面的直觀方式進行表達：
效率 = 輸出功率 / 輸入功率 （1）
功率損耗 = 輸入功率-輸出功率 （2）
但是對于每個元器件做為一個單獨熱源在損耗中所占的比重，這樣的結果沒有提供任何信息。而我們的方法學能讓設計者更好地選擇針對其應用的最佳DC-DC實現方案。
二 降壓轉換器的實例
降壓轉換器中的主要熱源是高邊MOSFET、低邊MOSFET和電感器。如果我們使用電工學方法來判定高邊MOSFET的功率損耗，那么就必須測量漏極電流、漏源電壓、柵極電流和柵源電壓。不幸的是，如果不在電流路徑中引入額外的電感和干擾電路的正常工作，要在高頻DC-DC轉換器中測得這些數據是非常困難的。但借助熱成像攝像機，我們研究出一種求解每個熱源功率損耗的新方法，而且不會影響電路的工作。
三 新方法的基本原理
在一個電路中，將電能轉換為熱能的元器件是熱源。能量轉換成熱會增加熱源器件的和周圍環境的溫度。轉變成熱的能量就是元器件的功率損耗。整個溫升（？T）取決于功率損耗（P）和環境。對于一個在固定測試臺上的某塊PCB板，？T是功率損耗的唯一函數。因此，如果我們測量出？T，就可以推導計算每個熱源功率損耗的方法。
四 基本原理的推導
為簡單起見，假設在PCB板上有兩個熱源（HS1和HS2）。HS1工作時不但使其自身的表面溫度會升高，也會提高HS2的表面溫度，對HS2來說也是如此。因此，每個熱源的最終？T可以用下面的等式來表示。
Sij （i， j = 1，2）是熱敏感度系數，與熱阻的度數相同
Pi是每個熱源的功率損耗
等式（3）也可以擴展到N個熱源的情況。在這種情況下，每個熱源的溫升可以由下式給出。
S是一個N x N的矩陣
如果我們知道S的數值，就可以由下式得到每個熱源的功率損耗。
假設Sij與溫度或電路的工作狀態無關，那么就可以由等式6確定每個Sij。
這里，DTi是第i個熱源的溫升，Pj是第j個熱源消耗的功率。所有其他器件都不起作用。
每次我們都使用簡單的直流技術給一個熱源供電，這樣就可以以非侵入式方式測量熱敏感度的系數。我們對被測器件（IC，MOSFET和電感器）施加直流電壓和電流，迫使器件開始消耗能量，然后測出Pj。然后我們使用熱成像攝像機測量表面溫度的？Ti，接著就可以用上面的等式（6）計算出Sij。
我們使用了新的方法學計算兩個降壓拓撲的主熱源：一個使用SiC739D8 DrMOS IC的集成式功率級，和一個使用兩個MOSFET的分立式功率級，在分立式功率級中，Si7382DP在高邊，Si7192DP在低邊。
A.集成式降壓轉換器
圖1
圖1顯示了用于集成式降壓轉換器的EVB前端。這里有4個熱源：電感器（HS1），驅動IC（HS2），高邊MOSFET（HS3）和低邊MOSFET（HS4）。SiC739 DrMOS是一個單芯片解決方案，其內部包含的HS2、HS3和HS4靠得非常近。由于這里有4個熱源，因此S是一個4x4矩陣。
圖2顯示了當低邊MOSFET的體二極管是前向偏置時（AR0x Avg. =》 HSx），4個熱源的溫度。
如果 TA 為 23.3 ？C，那么，
（8）
測得的電流I4和電壓V4分別是2.14A和0.6589V。
P4 = I4？V4 = 1.41W （8）
使用公式（7）中的溫度信息，我們可以得到Si4，（i=1，2，3，4）
S14 = 5.82 （9）
S24 = 9.29
S34 = 9.5
S44 = 16.2
重復上述過程，可以得到如下的S矩陣。
然后解出S-1，
試驗結果：集成式降壓轉換器
現在我們可以給SiC739 EVB上電，并使用等式（5）和（11）來計算每個熱源的功率損耗。
P1 = 0.224W， 電感器 （12）
P2 = 0.431W， 驅動 IC
P3 = 0.771W， 高邊MOSFET
P4 = 0.512W， 低邊 MOSFET
根據測試結果和等式 （2）：
P1 + P3 + P4 = 1.538W
新方法給出的結果是：
P1 + P3 + P4 = 1.507W （13）
熱學方法和電工學方法之間的結果差異是由小熱源造成的，如PCB印制線和電容器的ESR。
分立式降壓轉換器
使用上述步驟和圖3，我們獲得了分立式方案的S矩陣，不過沒有考慮驅動IC的功率。
（16）
（17）
使用上面圖4提供的信息，我們可以得到在Vin = 12V， Vo =1.3V， Io = 8A， Fs = 1MHz條件下的功率損耗。
P1 = 0.228W， 電感器
P2 = 0.996W， 高邊 MOSFET
P3 = 0.789W， 低邊 MOSFET
比較等式（18）和等式（22），我們發現，由于兩個電路使用相同的電感器，兩個電路具有同樣的電感器損耗，這個結果和我們預想的一樣。盡管分立方案中低邊和高邊MOSFET的rDS（on）比集成式方案MOSFET的rDS（on）分別小23％和28％，集成式降壓解決方案的損耗仍然比分立式降壓方案的損耗要低。
我們可以認定，集成式方案的頻率更低，而頻率則與功率損耗相關。
五 總結和結論
測量高頻DC-DC轉換器功率損耗的新方法使用了直流功率測試，和一個熱成像攝像機來測量PCB板上每個熱源的表面溫度。用新方法測得的功率損耗與用電工學方法測得的結果十分接近。新方法可以很容易地區分出象MOSFET這樣的主熱源，和象PCB印制線及電容器的ESR這樣的次熱源的功率損耗。試驗結果表明，由于在低頻下工作時的損耗小，高頻集成式DC-DC轉換器的整體功率損耗比分立式DC-DC轉換器要低。