MOS管（MOSFET）的壓降

       是指MOSFET飽和導通的時候，VDS=I*RDS(on)的電壓。VDS表示場效應管的漏極和源極的電壓，G表示柵極，I表示流過DS的電流，RDS(on)表示導通電阻，一般為幾百毫歐。

       MOSFET的管壓降，一般指的是靜態壓降。只要知道導通阻抗和通過的電流的話用上面的公式就可以計算出來壓降是多少了。

三極管管壓降 

       三極管的管壓降Uce就是指集電極與發射極的電壓。一般情況下，CE極電壓在0.3或者0.3V以下時，三極管進入飽和區的工作狀態，集電極電流不隨著基集電流增加而增加了，也叫飽和電壓。

       正常三極管管壓降為0.1-0.7V。 由于管壓降Uce與集電極電流ic具有非線性的函數關系，Uce的大小隨著Ice的增大，在一定的范圍內增大。

通過Ic與Uce（飽和壓降）的曲線圖，就可以清晰的知道Uce的大小了。

對比應用

       通過初步計算，在流過相同的電流（小于100MA）的情況下，場效應管的管壓降要比三極管的管壓降略低。一般小于0.1V。隨著電流增大，三極管管壓降最大達到0.7V左右。

       下圖為三極管的管壓降示例圖，一般在DATASHEET中都有給出。

       對于場效應管（MOSFET），VDS取決于電流和導通電阻RDS(on)。導通電阻一般變化不大，但是與VGS有關，VGS大導通程度也大，導通電阻就小。

如果RDS(on)=250MΩ，流過電流為100MA，管壓降VDS=0.025V。圖一為0.05V，圖二為0.03V。

       因此，可以看出，在實際開關應用中，如果要使被控的電壓的壓降盡量小，MOSFET比三極管有略微的優勢。