根據供應鏈消息，中芯國際是中國最大的晶圓代工廠，目前擁有最新的14納米FinFET工藝，接近完成研發。其試生產的產量已經可以達到95％。因此，從2019年開始批量生產的目標似乎并不遙遠。
據了解，根據中芯國際最新財務報告，中芯國際最先進的工藝目前為28納米。不過，根據2018年第一季度的財務報告，28納米僅占其收入的3.2％。與聯電，英特爾等較慢的先進工藝制造商相比，落后的一個世代以上，更不用說先進技術。臺積電，格羅方德，三星等在工藝開發方面取得快速進展的公司已準備好進入落后三代以上的7納米制程。
為了趕上這一差距，中芯國際不僅將在2017年底擔任三星電子和臺積電前高管梁孟松的聯席首席執行官職務，而且主要希望以他過去的經驗來指導中芯國際在開發14nm FinFET。此過程的進展將使中芯國際的14納米FinFET工藝在2019年達到其量產目標。它還將在2018年初宣布將共同投資102.4億美元與兩大政府產業基金加速14納米。以下先進的工藝研發和批量生產計劃最終實現了每月35,000片的產量。如今，中芯國際的14納米FinFET工藝達到了95％的良率，這相當于邁向目標的一大步。
事實上，隨著28-nm Poly / SiON工藝技術的成功大規模生產以及2018年2月采用28-nm High-K / Metal Gate（HKMG）工藝技術成功試制產品，試生產產量為高達98.在完成％后，與中國臺灣鑄造廠有著密切合作關系的廈門聯信在28nm節點上快速成熟。這種消息是針對目前代表中國大陸代工廠商領導者的中芯國際，因為28nm HKMG工藝產量并沒有如預期的那樣好，過去14nm FinFET工藝不可能被打破，幾乎可以放棄鑄造廠的地位在大陸的領導者。今天，14納米FinFET工藝技術取得突破性進展，矢量生產目標向前邁出了一步，中芯國際能夠保持領先地位。
此外，除了內部和核心競爭外，中芯國際在14納米FinFET工藝上的突破也象征著與國際一級晶圓代工廠商的距離更近。除了臺積電，Globod和三星正積極部署7納米工藝，產品將于2018年底前出現，其中包括聯電和英特爾仍處于14納米節點。特別是，英特爾有望在2019年之后使用14納米制程。在這方面，一旦中芯國際的14納米FinFET工藝在未來正式投入批量生產，中芯國際的產品有可能會在大陸市場生產，目前產品已經運往海外原始設備制造商。中芯國際將獲得更多利潤，但對于其他競爭對手而言，這可能不是太好消息。
據業內人士透露，雖然過去有大量資金，但他們計劃從Grooved購買技術來加強SMIC 14nm FinFET工藝。然而，這一次，梁孟松等人領導的團隊似乎在進一步拉動中芯國際的14納米制造工藝方面發揮了作用。但有消息人士指出，這件事不能由梁孟松獨自處理，而是梁孟松過去與臺灣和韓國有關人員的努力的結果。因此，中心國際線已經達到了14納米的成功研發階段。在下一階段，它必須看到14納米工藝能給公司帶來多大的收益。