自2014年以來中國對芯片產業高度重視，中國的芯片設計企業如雨后春筍般涌現，不過在芯片制造工藝上中國進展緩慢，中國最大的芯片制造企業中芯國際一直努力研發先進的制程工藝，不過其在28nm工藝上遭遇了困難，量產時間被一再延遲，直到去年業內知名的臺積電前研發處長加入，中芯國際的28nmHKMG工藝良率快速提升，再到如今的14nmFinFET工藝取得突破，中國在芯片制造工藝上開始縮短與臺積電和三星的差距。
中國芯片制造工藝取得進展，可望在更先進工藝上與海外企業競爭
中芯國際研發先進工藝遇到困難
中芯國際的28nm工藝早在2015年就開始投產，并在2016年獲得了高通驍龍425芯片的訂單，不過當時的28nm為Poly／SiON規格，中芯國際的28nmPoly／SiON成功投產意義重大，代表著它在先進工藝制程上的又一個重大進展，不過中芯國際隨后在研發先進工藝上遭遇了困難。
中芯國際的28nmPoly／SiON是相對落后的工藝，要取得更高的能效需要研發更先進的28nmHKMG工藝，然而其在研發該工藝上遭遇了難題，據稱直到去年其一直都為提升28nmHKMG的良率而努力。
在研發28nmHKMG面臨困難的時候，臺積電和三星已先后演進至14nmFinFET、10nm工藝，其中臺積電更在中國大陸的南京設立芯片制造廠預計在今年開始投產16nmFinFET，希望就近為中國芯片企業提供服務贏得大陸客戶的訂單，這給中芯國際帶來了巨大的壓力。
為此中芯國際決定研發更先進的14nmFinFET工藝，然而此時的它還在為提升28nmHKMG的良率而投入大量資源，研發14nmFinFET工藝的困難更大，中芯國際在先進工藝制程研發上呈現止步不前的局面，14nmFinFET工藝本預計在今年投產，然而業界擔心它會不會如28nmHKMG一樣一再延遲。
梁孟松加入為中芯國際研發先進工藝提速
2017年10月中芯國際宣布任命趙海軍、梁孟松博士為中芯國際聯合首席執行官兼執行董事，這為中芯國際研發先進工藝制程送來了東風。
梁孟松是臺積電前研發處長，是臺積電FinFET工藝的技術負責人，而FinFET工藝是芯片制造工藝從28nm往20nm工藝以下演進的關鍵，2014年臺積電研發出16nm工藝之后因制程能效甚至不如20nm工藝導致僅有華為海思等有限的兩個客戶采用，直到2015年引入FinFET工藝發展成為16nmFinFET工藝才獲得了包括蘋果A9處理器等芯片的訂單，廣受芯片企業的認可，可見FinFET工藝的重要性。
2008年梁孟松因臺積電的人事調整離開臺積電，據稱此后他為三星研發先進工藝制程提供指導，2011年中其正式加入三星，擔任研發部總經理，也是三星晶圓代工的執行副總，在他的決策之下跳過了20nm工藝直接研發更先進的14nmFinFET工藝，并在2015年初投產14nmFinFET工藝一舉超過臺積電，隨后三星在10nm工藝再次取得對臺積電的領先優勢，由此可以證明梁孟松在工藝制程上所擁有的強大技術研發能力。
梁孟松加入中芯國際之后，中芯國際在今年初基本解決了28nmHKMG的良率問題，如今中芯國際宣布14nmFinFET工藝也取得了進展，凸顯出梁孟松的加入對于中芯國際研發先進工藝上的重要作用。
中芯國際在先進工藝制程上可望加快追趕海外企業的速度
從梁孟松幫助三星發展14nmFinFET、10nm工藝上可以看出他確實在芯片工藝制程上所擁有的豐富經驗和技術研發能力，中芯國際在成功投產14nmFinFET工藝后預計其10nm工藝也將很快取得進展。
當前全球前五大芯片代工廠當中，第二名的格羅德德宣布放棄研發先進的7nm工藝，當前其最先進的工藝為12nm（這是14nmFinFET的改進版）；第三大芯片代工廠聯電也宣布停止12nm工藝及更先進工藝制程的研發，這兩大芯片企業均將提升企業利潤作為首要任務。
在這樣的情況下，作為第五大芯片代工廠的中芯國際如果能成功研發10nm工藝制程將成為工藝制程技術排名第三的芯片代工廠，其與臺積電和三星的芯片工藝制程的差距將大幅度縮短。
研發先進工藝制程對于中國有重要意義，中國是全球最大芯片市場，近幾年中國的芯片設計技術正在快速縮短與海外芯片企業的差距，華為海思研發的手機芯片在技術上已接近手機芯片老大高通。唯有芯片制造工藝與海外芯片企業的差距較大，中國臺灣的臺積電雖然在南京設立了芯片代工廠，不過在臺灣當局的要求下它并不會將最先進的工藝引入南京工廠，這拖累了中國芯片企業的發展。
如果中芯國際在芯片制造工藝上縮短與臺積電和三星的差距這將有助于加速中國大陸芯片產業的發展，畢竟芯片設計企業將芯片拿去臺灣流片然后再進行調整實在太耗費時間和資金。中國繁榮的芯片產業也有助于中芯國際獲得更多的收入，支持它研發更先進的制造工藝，最終形成一種良性循環，從這個方面來說中芯國際的先進工藝制程取得突破對中國芯片產業和它自身都有重要的意義。