【2020年3月3日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）成功開發出滿足最高效率和質量要求的解決方案。對于MOSFET低頻率開關應用而言，新推出的600 V CoolMOS S7系列產品可帶來領先的功率密度和能效。CoolMOS S7系列產品的主要特點包括導通性能優化、熱阻改進以及高脈沖電流能力，并且具備最高質量標準。該器件適合的應用包括有源橋式整流器、逆變極、PLC、功率固態繼電器和固態斷路器等。此外，10 m CoolMOS S7 MOSFET是業界RDS(on)最小的器件。
該產品系列專為低頻率的開關應用而開發，旨在降低它們的導通損耗，確保響應速度最快和效率最高。CoolMOS S7器件甚至實現了比CoolMOS 7產品更低的RDS(on) x A，因而能夠成功地抵消開關損耗，最終實現導通電阻降低和成本節省。對于高壓開關而言，CoolMOS S7產品擁有市面上最低的導通電阻（RDS(on)）。此外，10 mΩ芯片采用創新的頂面冷卻QDPAK封裝，22 mΩ芯片采用先進的小型TO無引腳（TOLL）SMD封裝。這些MOSFET可助力實現經濟、簡化、緊湊、模塊化和高效的設計。設計出來的系統可以輕松滿足法規要求和能效認證標準（如適用于SMPS的Titanium標準），也能滿足功率預算，減少零部件數量和散熱器需求，同時降低總擁有成本（TCO）。
供貨情況
22 m 600 V CoolMOS S7器件擁有TO無引腳封裝和TO-220封裝，40 m和65 m器件擁有TO無引腳封裝。10 m CoolMOS S7 MOSFET將在2020年第四季度上市。
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