在NAND閃存行業，隨著長江存儲在2019年量產自研的64層閃存，國內廠商已經殺進了這個行業，自研的Xtacking晶棧技術不熟三星等五大原廠，連續推出了64層、128層產品之后，今年要量產192層閃存了。
電子時報援引產業人士消息稱，長江存儲最近已向一些客戶交付了其自主研發的192層3D NAND閃存的樣品，預計將在今年年底前正式推出產品。
此外，由于長江存儲128層3D NAND閃存工藝良率已改善至較好水平，長江存儲也將月產量擴大至10萬片晶圓。
預計到2023年底，長江存儲月產量可能超過20萬片，全球市場份額有望達到7-8%。
在3D閃存方面，目前美光、三星都已經量產176層閃存，西數、鎧俠之前合作的是112層閃存，今年將量產162層堆棧的閃存，長江存儲192層閃存技術水平達到甚至超過了他們的量產型閃存。
不過三星今年底將量產224層堆棧的新一代3D閃存，美光前幾天也官宣了232層堆棧的3D閃存，只是要到明年才能量產，總體上還是會領先國產1-2年時間。
對于國產閃存來說，目前最關鍵的地方還不是技術，而是產能，長江存儲兩期工程的總產能也不過30萬晶圓/月，相比三星、鎧俠等公司來說還是低不少，特別是這幾年全球半導體廠商都在擴大產能，2021年全球產能應該會超過200萬晶圓/月，未來幾年有望超過250萬晶圓/月。
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