0　引言

    在器件技術的推動下，單片微波集成電路（MMIC）向著毫米波和多功能應用領域發展^[1-2]。封裝外殼作為連接芯片與外部電路的唯一橋梁，其不僅承擔了機械支撐的外部保護作用，還是信號傳輸的重要通道。適用于微波電路封裝的陶瓷外殼逐漸向高頻率、高功率、高集成和高可靠的方向發展。利用高溫共燒技術制備的四側無引線扁平陶瓷（Ceramic Quard Flat No-lead，CQFN）外殼具備結構強度高、耐惡劣環境以及在測試、安裝過程中不存在引腳受外界應力而產生形變等優點，可以保證集成電路封裝的可靠性，以滿足長期儲存、高可靠等要求比較高的環境中使用。與SOIC、TSOP、QFP和TQFP等封裝形式相比，CQFN型外殼在封裝面積、封裝高度、封裝重量和寄生效應等方面均有優異特性^[3-4]。因此，CQFN外殼逐漸成為MMIC的主要封裝形式。

    與一般集成電路封裝需求相比，適用于微波電路的CQFN型外殼在設計和加工制造方面難度更大。在微波設計方面，中國電科55所陸續報道了多款覆蓋C波段、X波段和Ku波段的陶瓷外殼^[5-8]。在制造工藝方面，通過結構設計和關鍵工藝技術的突破，重點解決了小節距陶瓷外殼產品的沖孔、注漿、細線條金屬化印刷問題，CQFN型外殼的節距可覆蓋至0.50 mm ^[9-10]。

    由于CQFN型外殼的封裝尺寸小，增加了高頻微波傳輸設計的難度。本文介紹了一款基于HTCC技術的CQFN型外殼，重點對陶瓷外殼微波傳輸通道的屏蔽地孔進行了設計與優化，其使用頻率覆蓋至40 GHz，可為同類型產品設計提供借鑒意義。

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作者信息：

周昊，顏匯锃，施夢僑，程凱

（中國電子科技集團公司第五十五研究所，江蘇 南京 210016）