| 1.65~3 GHz 500 W功率放大器設計與實現 | |
| 所屬分類：技術論文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大?。?span>688 K | |
| 標簽： GaN功率管 高功率 高效率 | |
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| 文檔介紹：現代發射系統對功率放大器的工作頻帶和功率等級提出了越來越高的要求，而基于新型GaN功率器件的功放設計可以滿足這些新的需求。采用GaN HEMT進行基本功放單元設計，并創新性地采用非對稱結構的5路徑向功率合成器實現整機所需功率同時提高整機效率。該功率放大器工作頻率為1.65~3 GHz，實測輸出功率大于500 W(CW)，電源轉換效率大于25%，較同類產品在效率體積等指標上有較大提升。該產品適用于高功率系統應用，如EMC測試、電子對抗等。 | |
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