| 基于Cadence 3D-IC平臺的2.5D封裝Interposer設計 | |
| 所屬分類：技術論文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大?。?span>1372 K | |
| 標簽： 2.5D先進封裝 硅中介層 高帶寬存儲 | |
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| 文檔介紹：2.5D先進封裝區別于普通2D封裝，主要在于多了一層Silicon Interposer(硅中介層)，它采用硅工藝，設計方法相比普通2D封裝更為復雜。而高帶寬存儲(High Bandwidth Memory，HBM)接口的互連又是Interposer設計中的主要挑戰，需要綜合考慮性能、可實現性等多種因素。介紹了基于Cadence 3D-IC平臺的Interposer設計方法，并結合HBM接口的自動布線腳本可以快速實現Interposer設計；同時通過仿真分析確定了基于格芯65 nm三層金屬硅工藝的HBM2e 3.2 Gb/s互連設計規則，權衡了性能和可實現性，又兼具成本優勢。 | |
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