| 高性能RISC-V處理器抗輻照加固設計 | |
| 所屬分類：技術論文 | |
| 上傳者：wwei | |
| 文檔大?。?span>4320 K | |
| 標簽： RISC-V 抗輻照加固設計 三模冗余 | |
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| 文檔介紹：隨著太空技術的蓬勃發展，芯片在輻照環境下的可靠性問題日益凸顯?；赗ISC-V指令集架構的高性能處理器C501，采用三模冗余方法和糾錯檢錯技術分別對電路層和系統層進行抗輻照加固，同時采取訪存請求強制不命中的策略來糾正校驗錯誤的數據塊，提高緩存系統的糾錯能力。仿真實驗結果表明，加固后的處理器可以通過糾正電路修復輻照引起的緩存數據錯誤，同時其最高工作頻率降低8.8%，面積增加約為64.9%，性能基本保持不變。 | |
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