頭條 英飛凌與羅姆攜手推進SiC功率器件封裝兼容性 【2025年9月25日，德國慕尼黑與日本京都訊】全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以下簡稱“英飛凌”）今日宣布，與全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）就建立SiC功率器件封裝合作機制簽署了備忘錄。 最新資訊 貿澤開售Nexperia NEX1000xUB電源IC 2024年3月13日 - 專注于引入新品的全球電子元器件和工業自動化產品授權代理商貿澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開售Nexperia的NEX1000xUB電源IC。這些新型、省空間、可編程、高效率的雙輸出LCD偏壓電源專為空間受限的應用而設計，可延長智能手機、平板電腦、虛擬現實 （VR） 頭顯設備和LCD模塊的電池續航時間與視頻顯示壽命。 發表于：3/25/2024 消息稱億緯鋰能擬在英國新建電動汽車電池工廠 3 月 24 日消息，據英國泰晤士報，億緯鋰能正在就英國投資建廠進行洽談，預計投資至少 12 億英鎊（當前約 109.68 億元人民幣）。 據報道，億緯鋰能希望在考文垂（Coventry）外圍修建一個 20 GWh 的電動汽車動力電池工廠，規模最終可能會達到 60 GWh，屆時將成為英國最大的超級工廠，預計未來數周將簽署相關協議。 發表于：3/25/2024 英飛凌推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產品系列，使電機驅動應用取得了飛躍性的進展。這一全新產品組合將為電動摩托車、微型電動汽車和電動叉車等應用提供出色的性能。 發表于：3/21/2024 基于負載追蹤補償的大電流LDO設計 提出一種有效提升大電流輸出應用的低壓差線性穩壓器（LDO）環路穩定性的技術，采用負載追蹤補償方式消除電路輸出端與負載相關的極點對環路穩定性的影響，且在維持環路低頻增益不變的前提下降低高頻下環路中節點阻抗，從而達到同時提升輸出精度和優化瞬態響應性能的目的。采用TSMC 0.18 µm BCD工藝進行仿真驗證，結果表明電路最大輸出電流6 A，在6 A/6 μs的負載突變情況下輸出電壓下沖為36.6 mV，過沖為35.3 mV，穩定時間小于56.3 μs。全負載電流范圍內，瞬態性能大幅提升。 發表于：3/20/2024 石墨烯膜實現超高壓太陽電池陣的靜電防護 針對空間電站太陽電池陣容易在超高壓工作下出現靜電損傷的問題，通過研制具備高透過率和導電性的石墨烯透明導電膜，實現了全柔性太陽電池組件表面零電位，達到靜電泄放的目的。在750 V串間高壓的試驗條件下，石墨烯膜封裝的全柔性太陽電池組件未出現放電現象，電性能未發生變化，證明了石墨烯膜在超高壓條件下的靜電防護能力。 發表于：3/20/2024 “死磕”功率密度，TI又推出兩大新系列 如今AI、電動汽車等熱點應用的興起對電源設計的功率密度提出了更高的要求。高功率密度的設計，意味著整個電源的功率器件在尺寸、功率和散熱上面臨更大的挑戰。 發表于：3/18/2024 寧德時代：首個基于磷酸鐵鋰電池的滑板底盤產品將于下半年量產 據澎湃新聞報道，在 2024 年中國電動汽車百人會論壇上，寧德時代（上海）智能科技有限公司的董事總經理楊漢兵透露，該公司首個基于磷酸鐵鋰電池的滑板底盤產品預計將于今年下半年開始量產。去年 11 月，寧德時代宣布其采用三元鋰電池、續航里程突破 1000 公里的滑板底盤產品首發 B 級轎車，完成了黑河冬季測試及吐魯番夏季測試。 發表于：3/18/2024 英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產品系列 2024年3月14日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以滿足工業和汽車功率應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產品系列包含工業級和車規級SiC MOSFET，針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋（DAB）、HERIC、降壓/升壓和移相全橋（PSFB）拓撲結構進行了優化。這些MOSFET適用于典型的工業應用（包括電動汽車充電、工業驅動器、太陽能和儲能系統、固態斷路器、UPS系統、服務器/數據中心、電信等）和汽車領域（包括車載充電器（OBC）、直流-直流轉換器等）。 發表于：3/14/2024 紅旗新一代國產化車載電源量產啟動 3月13日消息，據紅旗官方公眾號介紹，近日紅旗研發總院創新開發的紅旗新一代國產化3kW DC/DC車載電源成功完成OTS試驗認可，順利啟動量產。 該產品的芯片國產化利用率由0躍升至60%，實現性能、質量及成本的全方位優化設計。 紅旗新一代國產化車載電源量產啟動：芯片國產化利用率達60% 該組件在更換國產化芯片過程中，先后成功通過功能、性能、環境適應性、電磁兼容性和禁用物質檢測五大類共計117項試驗的嚴苛考驗，在加速國產芯片應用的同時，品質性能不打折扣。 突破DC/DC反向預充技術，在實現反向預充和高壓電氣系統故障智能檢測功能的同時，能夠根據低壓蓄電池荷電狀態，自動調節預充電流，避免預充過程中低壓蓄電池電壓過度下降，為車輛供電提供安全保障。 發表于：3/14/2024 英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC? MOSFET G2 【2024年3月12日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比， 英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術在確保質量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅提升了整體能效，更進一步推動了低碳化進程。 發表于：3/13/2024 ?…46474849505152535455…?
